探测率:0.63E08 cmHz^(½)/W |
测量范围:-30 to 100 C |
响应时间:0.5 seconds |
响应率:125 V/W |
储存温度:-40 to 125 C |
芯片尺寸:11.5mm x 1.5mm |
封装形式:8英寸蓝膜包装（切片/未切片，可选） |
敏感面积:芯片1：1.15 mm2 |
热电堆温度系数:0.06 % |
热电堆电阻:90 to150 kohms |
光谱范围:7.5 to 13.5 microns (7.5 to 13.5 micrometers) |
响应率:0.0330 mV/µW |
探测率:1.1 10^8cmHz^(½)/W |
工作温度:-4 to 212 F (-20 to 100 C) |
产品类别:Thermopiles |
电气输出:Voltage |
光谱范围:2 to 20 microns (2 to 20 micrometers) |
产品类别:Thermopiles |
温度范围:1000 to 5000 F (538 to 2760 C) |
比率：距离 / 光斑大小:100 |
光谱范围:0.2000 to 50 microns (0.2000 to 50 micrometers) |
产品类别:Thermopiles |
精度:-3 to 3 ±% Full Scale |
电气输出:Voltage |
工作温度:-22 to 158 F (-30 to 70 C) |
产品类别:Thermopiles |
温度范围:-22 to 158 F (-30 to 70 C) |
储存温度:-40~125℃ |
技术类型:热电堆 |
封装类型:TO-39 |
芯片面积:1.8×1.8mm2 |
感应区域:1.35×1.35mm2 |
视场（50%最大信号）:62° |
透过波长范围:8~14μm 带通 |
平均透过率:≥75%，8~14μm |
平均截止率:1%，＜7.5μm；1%, 15~21μm |
工作温度:-30~100℃ |
电气输出:Voltage |
工作温度:-58 to 212 F (-50 to 100 C) |
响应率:112 mV/µW |
探测率:1.44 10^8cmHz^(½)/W |
产品类别:Thermopiles |
探测率:0.3800 to 0.4200 10^8cmHz^(½)/W |
产品类别:Thermopiles |
温度范围:-40 to 1832 F (-40 to 1000 C) |
比率：距离 / 光斑大小:95 |
产品类别:Thermopiles |
精度:5 ±% Full Scale |
电气输出:Voltage |
产品类别:Thermopiles |
温度范围:-22 to 158 F (-30 to 70 C) |
光谱范围:0.2000 to 50 microns (0.2000 to 50 micrometers) |
响应时间:30000 milliseconds |
工作温度:-40 to 175 F (-40 to 79 C) |
产品类别:Thermopiles |
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