SK Hynix Inc. （海力士）前身为1983年成立的韩国现代电子产业株式会社，2012年被SK集团收购以后正式更名为SK海力士株式会社。SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。作为全球领先的半导体制造商，当前在韩国利川和清州、 中国无锡和重庆设有四个生产基地，并在全球16个国家和地区设立了销售、研发等基地。基于过去三十多年的半导体生产运营经验， SK海力士致力于实现持续的研发与投资，增强技术与成本竞争力，引领全球半导体市场。发展历程1983 创立现代电子1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM1987 开始出口256Kb DRAM1989 全球半导体市场份额列入前二十1995 全球首次开发256Mb SRAM，成为韩国十大制造企业1996 企业公开募股及上市1999 量产全国最快Graphic 16Mb SDRAM，收购LG半导体2001 更名为海力士半导体股份公司，脱离现代集团2004 成功研发NAND Flash产品2005 开始生产300mm2006 中国合作工厂竣工2008 韩国清州M11竣工2012 SK海力士成立，韩国清州M12竣工，意大利/美国/台湾技术中心成立2013 全球首次研发TSV技术HBM2014 重庆后工序生产公司成立2015 韩国利川M14竣工2017 研发出20纳米级全球最快的GDDR62018 韩国清州M15竣工，韩国利川M16开工2019 行业首次研发出128层4D NAND，无锡C2F竣工中国业务SK海力士半导体(中国)有限公司