类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 2 MP 1/3 CIS |
封装 / 箱体:IBGA-80 |
封装:Tray |
系列:AR0230CS |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:2400 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2 Megapixels |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1.2 MP 1/3 CIS |
封装 / 箱体:ILCC-48 |
封装:Tray |
系列:AR0130CS |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:1520 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1.2 MP 1/3 GS CIS |
封装 / 箱体:IBGA-63 |
封装:Tray |
系列:AR0134CS |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:2600 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1.2 MP 1/3 GS CIS |
封装 / 箱体:IBGA-63 |
封装:Tray |
系列:AR0134CS |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:2600 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 GILO 6 |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
封装:Reel |
系列:MT9S526 |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:2000 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 3 MP 1/2 CIS |
封装:Tray |
系列:MT9T001 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工厂包装数量:960 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:3 Megapixels |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 3 MP 1/2 CIS |
封装:Tray |
系列:MT9T001 |
商标:Aptina / ON Semiconductor |
工厂包装数量:960 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:3 Megapixels |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1 MP CO-PROCESSOR |
封装 / 箱体:VFBGA-81 |
封装:Tray |
系列:AP0101CS |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:3840 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 1 MP CO-PROCESSOR |
封装 / 箱体:VFBGA-100 |
封装:Tray |
系列:AP0100CS |
商标:ON Semiconductor |
工厂包装数量:2600 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:1.2 Megapixels |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1928H x 1208V |
每秒帧数:40 |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:3072H x 3072V |
每秒帧数:90 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V,2.7V ~ 2.9V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:4096H x 3072V |
每秒帧数:90 |
电压 - 供电:1.1V ~ 1.3V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:4096H x 2160V |
每秒帧数:128 |
电压 - 供电:1.7V ~1.9V,2.7V ~ 2.9V |
封装/外壳:163-LGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:4.7µm x 4.7µm |
有源像素阵列:4000H x 3000V |
每秒帧数:70 |
电压 - 供电:1.8V,2V |
封装/外壳:237-XFCPGA |
供应商器件封装:237-MicroCPGA(42.5x38.1) |
工作温度:-50°C ~ 80°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:1.1µm x 1.1µm |
有源像素阵列:4208H x 3120V |
每秒帧数:30 |
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V |
封装/外壳:模具 |
供应商器件封装:模具 |
工作温度:-30°C ~ 70°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:4.7µm x 4.7µm |
有源像素阵列:4000H x 3000V |
每秒帧数:70 |
电压 - 供电:1.8V,2V |
封装/外壳:237-XFCPGA |
供应商器件封装:237-MicroCPGA(42.5x38.1) |
工作温度:-50°C ~ 80°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
工作温度:-40°C ~ 110°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
每秒帧数:60 |
工作温度:-40°C ~ 110°C |
类型:CMOS |
像素大小:3.2µm x 3.2µm |
有源像素阵列:4096H x 3072V |
每秒帧数:90 |
电压 - 供电:1.1V ~ 1.3V |
封装/外壳:163-BCLGA |
供应商器件封装:163-CLGA(20.88x19.9) |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
类型:CMOS |
像素大小:6.7µm x 6.7µm |
有源像素阵列:1280H x 1024V |
每秒帧数:27 |
电压 - 供电:3V ~ 4.5V |
封装/外壳:84-LCC |
供应商器件封装:84-LCC(18x18) |
类型:CMOS |
像素大小:9.9µm x 9.9µm |
有源像素阵列:640H x 480V |
每秒帧数:250 |
电压 - 供电:2.5V ~ 3.3V |
封装/外壳:48-LCC |
供应商器件封装:48-LCC(14.22x14.22) |
工作温度:-40°C ~ 70°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:18µm x 18µm |
有源像素阵列:1024H x 1024V |
每秒帧数:10 |
电压 - 供电:3.3V |
封装/外壳:84-CLCC 窗口(J 形引线) |
供应商器件封装:84-JLCC(26.8x26.8) |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
类型:CMOS |
像素大小:4.5µm x 4.5µm |
有源像素阵列:4096H x 3072V |
每秒帧数:80 |
电压 - 供电:1.8V ~ 3.3V |
封装/外壳:355-BSPGA,窗口 |
供应商器件封装:355-µPGA |
工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) |
类型:CMOS |
像素大小:2.2µm x 2.2µm |
有源像素阵列:2592H x 1944V |
每秒帧数:60 |
电压 - 供电:1.8V,2.8V |
工作温度:-30°C ~ 70°C |
类型:CMOS |
像素大小:3µm x 3µm |
有源像素阵列:1344H x 968V |
每秒帧数:30 |
封装/外壳:80-LFBGA |
供应商器件封装:80-IBGA(9x9) |
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