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Silan 士兰微
成为最优秀的半导体集成电路设计与制造企业之一士兰微始于1997杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到22万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第二位。公司8英寸生产线于2015年开工建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司,2020年实际月产能达到5~6万片。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线在厦门开工建设。2020年,士兰化合物半导体生产线正式投产,士兰12英寸芯片生产线开始试产。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。公司目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域:基于士兰芯片生产线高压、高功率、特殊工艺的集成电路、功率模块(IPM/PIM)、功率器件及(各类MCU/专用IC组成的)功率半导体方案MEMS传感器产品、数字音视频和智能语音产品、通用ASIC电路光电产品及LED芯片制造和封装(含内外彩屏和LED照明)士兰微荣获多项荣誉士兰微电子注重研发的投入和技术的积累,现已拥有国内一流的设计研发团队和国家级博士后科研工作站,拥有集成电路芯片设计研发人员近400人,芯片工艺、封装技术、测试技术研发队伍等超过2000人,研发队伍中拥有博士、硕士超过400人。公司陆续承担了国家科技重大专项、科技部“863”计划、国家发改委高技术产业化、杭州市重大科技创新专项等项目。公司连续多年入围“中国十大集成电路设计企业”、“中国软件业务收入前百家企业”、“十大中国IC设计公司品牌”,被评为“中国十强半导体企业”、“全国五一劳动奖状”、“浙江省专利示范企业”、“浙江省名牌产品”等荣誉称号。公司研发项目多次荣获国家技术发明奖二等奖、国家科技进步奖二等奖、中国半导体创新产品和技术、浙江省科学技术进步一等奖、杭州市科技进步一等奖等奖项。 诚信、忍耐、探索、热情士兰微电子秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的核心理念,以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成就国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力,并向国际知名品牌的集成电路企业迈进!主要分子公司士兰半导体制造事业总部杭州士兰集成电路有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司杭州士兰明芯科技有限公司成都士兰半导体制造有限公司成都集佳科技有限公司厦门士兰集科微电子有限公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司MEMS产线(IDM)-6&8英寸杭州士兰微1997年成立,是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。自2010年开始,士兰微电子投入大量资金,通过对加速度传感器、地磁传感器、压力传感器等一系列传感器产品的开发,在6吋、8吋芯片生产线上实现了批量制造能力,并建立自己的MEMS封测生产线,初步走通了系列传感器的IDM发展之路,已申请相关发明专利百余项。目前士兰微MEMS传感器产品系列丰富,有:MEMS加速度计、三轴AMR磁传感器、六轴惯性传感器、高性能MEMS麦克风、数字三合一传感器、心率传感器、高性能气压压力传感器等。士兰微是中国MEMS十强企业之一,据其2022上半年度报告披露,2022 年上半年,公司 MEMS 传感器产品的营业收入达到 1.5 亿元,较上年同期增加 7.8%。
  • Silan 士兰微 SD8666QS 内置高压功率MOSFET的多重模式开关电源控制器

    SD8666QS是用于开关电源的内置高压功率MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式PWM+PFM控制器。SD8666QS具有多重模式控制:在重载下,高压时工作在QR模式,可以减小开关损耗,低压时工作固定频率(65KHz)的CCM模式。在中载和轻载下,工作在QR+PFM模式,可以提高转换效率。在空载下,进入打嗝模式,有效地降低电路的待机功耗。SD8666QS具有抖频功能,以降低EMI。具有峰值电流补偿功能,在不同的AC输入电压下能保持极限输出功率一致。还有软启动功能,在上电过程中减小器件应力。SD8666QS内部集成了各种异常状态的保护功能,包括VCC过压保护,输出过载保护,输出过压保护,前沿消隐,逐周期峰值限流,输出二极管短路保护,AC输入电压欠压和过温保护等。
  • Silan 士兰微 SDH8666Q 内置高压功率MOSFET的多重模式开关电源控制器

    SDH8666Q是用于开关电源高压启动、内置高压功率MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式PWM+PFM开关电源控制器。SDH8666Q内置高压启动恒流源,以实现高压启动。待机功耗低,小于40mW。具有多重模式控制:在重载下,高压时工作在QR模式,可以减小开关损耗,低压时工作固定频率(65KHz)的CCM模式。在中载和轻载下,工作在QR+PFM模式,可以提高转换效率。在空载下,进入打嗝模式,有效地降低电路的待机功耗。SDH8666Q具有抖频功能,以降低EMI。具有峰值电流补偿功能,在不同的AC输入电压下能保持极限输出功率一致。还有软启动功能,在上电过程中减小器件应力。SDH8666Q内部集成了各种异常状态的保护功能,包括VCC过压保护,输出过载保护,输出过压保护,前沿消隐,逐周期峰值限流,输出二极管短路保护,AC输入电压欠压保护和过温保护等。
  • Silan 士兰微 SDH8595AD 内置高压MOS管的高精度原边控制开关电源

    SDH8595AD是高性能的原边反馈(PSR)开关电源控制器,采用PFM调制技术,具有高性能和高效率。内置650V的MOSFET和采用自有专利的高压启动技术,外围元器件极简。采用SDH8595AD方案,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低系统成本,同时具有良好的线性调整率和负载调整率。SDH8595AD在全电压范围内支持最高12W输出的应用。
  • Silan 士兰微 SD8530AS 内置高压三极管的原边控制开关电源控制器

    SD8530AS是内置高压三极管的原边控制模式的开关电源控制器(PSR),内置线损补偿和峰值电流补偿功能,采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路。采用SD8530AS,无需光耦,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低成本。SD8530AS在全电压范围内支持最高输出功率6W。
  • Silan 士兰微 SDH8594ES 内置高压MOS管的高精度原边控制开关电源

    SDH8594ES是高性能的原边反馈(PSR)开关电源控制器,采用PFM调制技术,具有高性能和高效率。内置650V的MOSFET和采用自有专利的高压启动技术,外围元器件极简。采用SDH8594ES方案,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低系统成本,同时具有良好的线性调整率和负载调整率。SDH8594ES在全电压范围内支持最高12W输出的应用。

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