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Silan 士兰微
成为最优秀的半导体集成电路设计与制造企业之一士兰微始于1997杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到22万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第二位。公司8英寸生产线于2015年开工建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司,2020年实际月产能达到5~6万片。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线在厦门开工建设。2020年,士兰化合物半导体生产线正式投产,士兰12英寸芯片生产线开始试产。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。公司目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域:基于士兰芯片生产线高压、高功率、特殊工艺的集成电路、功率模块(IPM/PIM)、功率器件及(各类MCU/专用IC组成的)功率半导体方案MEMS传感器产品、数字音视频和智能语音产品、通用ASIC电路光电产品及LED芯片制造和封装(含内外彩屏和LED照明)士兰微荣获多项荣誉士兰微电子注重研发的投入和技术的积累,现已拥有国内一流的设计研发团队和国家级博士后科研工作站,拥有集成电路芯片设计研发人员近400人,芯片工艺、封装技术、测试技术研发队伍等超过2000人,研发队伍中拥有博士、硕士超过400人。公司陆续承担了国家科技重大专项、科技部“863”计划、国家发改委高技术产业化、杭州市重大科技创新专项等项目。公司连续多年入围“中国十大集成电路设计企业”、“中国软件业务收入前百家企业”、“十大中国IC设计公司品牌”,被评为“中国十强半导体企业”、“全国五一劳动奖状”、“浙江省专利示范企业”、“浙江省名牌产品”等荣誉称号。公司研发项目多次荣获国家技术发明奖二等奖、国家科技进步奖二等奖、中国半导体创新产品和技术、浙江省科学技术进步一等奖、杭州市科技进步一等奖等奖项。 诚信、忍耐、探索、热情士兰微电子秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的核心理念,以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成就国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力,并向国际知名品牌的集成电路企业迈进!主要分子公司士兰半导体制造事业总部杭州士兰集成电路有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司杭州士兰明芯科技有限公司成都士兰半导体制造有限公司成都集佳科技有限公司厦门士兰集科微电子有限公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司MEMS产线(IDM)-6&8英寸杭州士兰微1997年成立,是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。自2010年开始,士兰微电子投入大量资金,通过对加速度传感器、地磁传感器、压力传感器等一系列传感器产品的开发,在6吋、8吋芯片生产线上实现了批量制造能力,并建立自己的MEMS封测生产线,初步走通了系列传感器的IDM发展之路,已申请相关发明专利百余项。目前士兰微MEMS传感器产品系列丰富,有:MEMS加速度计、三轴AMR磁传感器、六轴惯性传感器、高性能MEMS麦克风、数字三合一传感器、心率传感器、高性能气压压力传感器等。士兰微是中国MEMS十强企业之一,据其2022上半年度报告披露,2022 年上半年,公司 MEMS 传感器产品的营业收入达到 1.5 亿元,较上年同期增加 7.8%。
  • Silan 士兰微 SFR30F120EP2(T2) 快速恢复二极管

    SFR30F120EP2(T2)一款超快恢复二极管器件,采用了先进的硅外延平面工艺制作,在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计,使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。精确的外延掺杂控制、先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数、很高的耐用性和可靠性指标。该产品可广泛应用于开关电源、不间断电源、直流-直流转换器的输出整流级,同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
  • Silan 士兰微 2KG081075PYL 开关二极管芯片

    2KG081075PYL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式;作为塑封用的芯片有多种厚度可选择,以适合不同的封装形式,正面电极材料为铝,背面电极材料为银。
  • Silan 士兰微 2KG081075NYL 开关二极管芯片

    2KG081075NYL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式;作为塑封用的芯片有多种厚度可选择,以适合不同的封装形式,正面电极材料为铝,背面电极材料为银。
  • Silan 士兰微 2KG050350JL 开关二极管芯片

    2KG050350JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片;高速开关二极管;正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG048075NYL 开关二极管芯片

    2KG048075NYL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式。作为塑封用的芯片有多种厚度可选择,以适合不同的封装形式,正面电极材料为铝,背面电极材料为银。
  • Silan 士兰微 2KG041250JL 开关二极管芯片

    2KG041250JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片;高速开关二极管;正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG041075PGL 开关二极管芯片

    2KG041075PGL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片;由于双管芯制作在同一芯片衬底上,参数匹配性好;优化的图形设计,便于封装键合,同时双芯之间的干扰很小;芯片正面电极材料为铝,背面无电极材料。
  • Silan 士兰微 2KG038075NGL 共阴双管芯开关二极管

    2KG038075NGL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片;由于双管芯制作在同一芯片衬底上,参数匹配性好;优化的图形设计,便于封装键合,同时双芯之间的干扰很小;芯片厚度为540mm,正面电极材料为铝,背面无电极材料;芯片尺寸:0.38 X 0.38(mm)2。
  • Silan 士兰微 2KG037075PJL 共阴双管芯开关二极管

    2KG037075PJL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片;由于双管芯制作在同一芯片衬底上,参数匹配性好;优化的图形设计,便于封装键合,同时双芯之间的干扰很小;芯片正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG037075PGL 共阴双管芯开关二极管

    2KG037075PGL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片;由于双管芯制作在同一芯片衬底上,参数匹配性好;优化的图形设计,便于封装键合,同时双芯之间的干扰很小;芯片正面电极材料为铝,背面无电极材料。
  • Silan 士兰微 2KG037075NJL 共阴双管芯开关二极管

    2KG037075NJL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片;由于双管芯制作在同一芯片衬底上,参数匹配性好;优化的图形设计,便于封装键合,同时双芯之间的干扰很小;正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG037075NJL 共阴双管芯开关二极管

    2KG037075NJL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片;由于双管芯制作在同一芯片衬底上,参数匹配性好;优化的图形设计,便于封装键合,同时双芯之间的干扰很小;芯片正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG037075NGL 共阴双管芯开关二极管

    2KG037075NGL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片;由于双管芯制作在同一芯片衬底上,参数匹配性好;优化的图形设计,便于封装键合,同时双芯之间的干扰很小;芯片正面电极材料为铝,背面无电极材料。
  • Silan 士兰微 2KG036075NYQ 开关二极管芯片

    2KG036075NYQ是利用硅外延工艺生产的用于塑封的开关二极管芯片;高速开关二极管;作为玻封用的芯片,正面电极材料为银球,背面电极材料为银。
  • Silan 士兰微 2KG034400JL 开关二极管芯片

    2KG034400JL是利用硅外延工艺生产的高速开关二极管芯片;高的反向击穿电压;利用该芯片封装的典型成品有MBD5004;作为塑封用的芯片有多种厚度可选择,以适合不同的封装形式,正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG034350JL 开关二极管芯片

    2KG034350JL是利用硅外延工艺生产的高速开关二极管芯片;反向击穿电压高;利用该芯片封装的典型成品有MBD3004;作为塑封用的芯片有多种厚度可选择,以适合不同的封装形式,正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG029075GL 开关二极管芯片

    2KG029075GL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式。利用该芯片封装的典型成品有1N4148(高速开关二极管)。芯片厚度为540mm,正面电极材料为铝,背面无电极材料。芯片尺寸:0.29 X 0.29 (mm2)。
  • Silan 士兰微 2KG028075JL 开关二极管芯片

    2KG028075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式;利用该芯片封装的典型成品有1N4148(高速开关二极管);作为塑封用的芯片有多种厚度可选择,以适合不同的封装形式,正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG028075GL 开关二极管芯片

    2KG028075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式;利用该芯片封装的典型成品有1N4148(高速开关二极管);芯片厚度为540mm,正面电极材料为铝,背面无电极材料;芯片尺寸:0.28 X 0.28 (mm2)。
  • Silan 士兰微 2KG026075JL 开关二极管芯片

    2KG026075JL是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片。利用该芯片封装的典型成品有1N4148(高速开关二极管)。作为塑封用的芯片有多种厚度可选择,以适合不同的封装形式,正面电极材料为铝,背面电极材料为金。
  • Silan 士兰微 2KG026075YQ 开关二极管芯片

    2KG026075YQ是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式;利用该芯片封装的典型成品有1N4148(高速开关二极管);作为玻封用的芯片,正面电极材料为银球,背面电极材料为银。
  • Silan 士兰微 2KG023075YQ 开关二极管芯片

    2KG023075YQ是利用硅外延工艺生产的通用开关二极管芯片,有适合各种封装的正面和背面电极引出形式;利用该芯片封装的典型成品有1N4148(高速开关二极管);作为玻封用的芯片,正面电极材料为银球,背面电极材料为银。
  • Silan 士兰微 2KG023075XL 开关二极管芯片

    2KG023075XL是利用硅外延工艺生产的用于塑封的开关二极管芯片;利用该芯片封装的典型成品有1N4148(高速开关二极管);有多种厚度可选择,正面电极材料为铝,背面电极材料为金,以适合不同的塑封形式。
  • Silan 士兰微 2SF686400FYL 快恢复二极管芯片

    2SF686400FYL是采用硅外延工艺制造的快恢复二极管芯片;超快的恢复时间;大电流能力;低正向压降;低反向漏电流。
  • Silan 士兰微 2SF592700FYL 快恢复二极管芯片

    2SF592700FYL是采用硅外延工艺制造的快恢复二极管芯片;超快的恢复时间;大电流能力;高抗浪涌电流能力;低正向压降;低反向漏电流。
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