结构类型:Semiconductor |
应变片布置:Diaphragm |
工作温度
:-22 to 176 F (-30 to 80 C) |
终端选择:Lead Wires |
集成电桥电路
:Full-Bridge |
产品类别
:Strain Gauges |
结构类型:Semiconductor |
标称电阻:350 |
终端选择:Lead Wires |
应变片布置:Diaphragm |
工作温度
:-4 to 122 F (-20 to 50 C) |
集成电桥电路
:Full-Bridge |
产品类别
:Strain Gauges |
标称电阻:350 |
结构类型:Semiconductor |
工作温度
:-4 to 122 F (-20 to 50 C) |
应变片布置:Diaphragm |
终端选择:Lead Wires |
产品类别
:Strain Gauges |
集成电桥电路
:Full-Bridge |
应变片布置:Diaphragm |
工作温度
:-4 to 212 F (-20 to 100 C) |
标称电阻:350; 700 |
结构类型:Semiconductor |
终端选择:Lead Wires |
集成电桥电路
:Full-Bridge |
产品类别
:Strain Gauges |
应变片布置:Uniaxial |
工作温度
:-40 to 392 F (-40 to 200 C) |
终端选择:Lead Wires |
结构类型:Semiconductor |
集成电桥电路
:None |
产品类别
:Strain Gauges |
应变范围
:1500 microstrains |
应变片布置:Uniaxial |
工作温度
:-40 to 392 F (-40 to 200 C) |
终端选择:Lead Wires |
结构类型:Semiconductor |
产品类别
:Strain Gauges |
集成电桥电路
:None |
应变范围
:1400 microstrains |
结构类型:Semiconductor |
应变片布置:Uniaxial |
终端选择:Lead Wires |
工作温度
:32 to 158 F (0 to 70 C) |
集成电桥电路
:None |
应变范围
:600 microstrains |
产品类别
:Strain Gauges |
终端选择:Lead Wires |
结构类型:Semiconductor |
应变片布置:Uniaxial |
工作温度
:-22 to 248 F (-30 to 120 C) |
产品类别
:Strain Gauges |
集成电桥电路
:None |
应变范围
:800 microstrains |
结构类型:Semiconductor |
终端选择:Lead Wires |
应变片布置:Uniaxial |
工作温度
:14 to 158 F (-10 to 70 C) |
集成电桥电路
:None |
应变范围
:500 microstrains |
产品类别
:Strain Gauges |
工作温度范围:-40 到 350 °C |
更多的功能/选项:传感器 正电荷输出,L = 0.3 m 正电荷输送,L = 0.3 m |
测量范围(应变传感器):-1,500 到 1,500 µε |
电气连接:费舍尔 KE 102 负数 |
工作温度范围:-10 到 70 °C |
更多的功能/选项:接地隔离版 |
测量范围(应变传感器):-300 到 300 µε |
灵敏度(应变传感器):6 pC/µε |
电气连接:M12x1,8 针 |
连接器设计:直线,在测量轴方向 |
工作温度范围:-40 到 200 °C |
测量范围(应变传感器):0 到 500 µε |
灵敏度(应变传感器):-15 pC/µε |
电气连接:电缆,KIAG 10-32 pos. 在订单中指定电缆长度 KIAG 10-32 pos., 订购时指定电缆长度 |
工作温度范围:-30 到 100 °C |
测量范围(应变传感器):-300 到 300 µε |
灵敏度(应变传感器):-6 pC/µε |
电气连接:KIAG 10-32 neg. |
电气连接:电缆,KIAG M4 pos. |
电缆长度:3 m |
工作温度范围:-30 到 100 °C |
测量范围(应变传感器):-50 到 50 µε |
灵敏度(应变传感器):-6 pC/µε |
电气连接:KIAG 10-32 neg. |
查看更多