普赛斯功率半导体行业测试设备-高电压大电流,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六；

IGBT测试系统图

   普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

“双高”系统优势

   高电压、大电流

   具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV)

   具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

   高精度测量

   nA级漏电流, μΩ级导通电阻

   0.1%精度测量

   模块化配置

   可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

   测试效率高

   内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

   支持国标全指标的一键测试

   扩展性好

   支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目

集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对功率半导体行业测试设备-高电压大电流感兴趣，欢迎随时联系我们！