SVS60R570F(FJD)(D)E3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS60R570F(FJD)(D)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点

• 7A，600V，R_{DS(on)(典型值)}=0.57W@V_GS=10V

• 创新高压技术

• 低栅极电荷

• 较强的雪崩能力

• 较强的dv/dt能力

• 较高的峰值电流能力

• 100%雪崩测试

• 无铅管脚镀层

• 符合RoHS环保标准

封装外形图

TO-252-2L

TO-220FJ-3L

TO-220F-3L