产品介绍
德州仪器 DRV5013 数字锁存霍尔效应传感器是一款斩波稳定型霍尔效应传感器，此器件在可行温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特性的磁场感测解决方案。磁场通过数字双极锁存输出表示。该集成电路(IC)有一个灌电流能力为 30mA 的开漏输出级。反向极性保护高达 -22V 的宽工作电压范围（2.5V 至 38V）使得此器件适合于广泛的工业应用。针对不利供电条件、甩负载、输出短路或过流等情况，提供了内部保护功能。
DRV5013ADELPGMQ1 CMOS图像传感器技术参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| RoHS | Y | |
| 类型 | Hall Effect Latch | |
| 说明 | 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Auto Digital-Latch Hall Effect Sensor | |
| 最大工作温度 | + 150 C | |
| 最小工作温度 | - 40 C | |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 | |
| 封装 | Ammo Pack | |
| 系列 | DRV5013-Q1 | |
| 商标 | Texas Instruments | |
| 安装风格 | Through Hole | |
| 工作电源电流 | 2.7 mA | |
| 工作电源电压 | 38 V | |
| 工厂包装数量 | 3000 | |
| 电源电压-最大 | 38 V | |
| 电源电压-最小 | 2.7 V | |
| 输出类型 | Open Drain | |
| 子类别 | Sensors | |
| 产品类型 | Hall Effect / Magnetic Sensors | |
| 资格 | AEC-Q100 | |
| 输出电压 | 38 V |
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