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光微科技 NV08 CMOS图像传感器

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产品详细信息

MG 系列磁体提供多种紧凑配置、强度和磁性材料任您挑选,可作为执行器适用于具有单极或全极磁性特点的霍尔效应或磁阻式传感器集成电路中。这些磁体设计用于在指定距离内提供最小磁场强度,以帮助系统设计人员根据自身要求找到最合适的磁体。

磁体 CMOS图像传感器技术参数

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产品类型 磁体
物理强度 很舒适;不良
距离 = 3.81 mm [0.15 英寸] 处的磁通量 55 mT [550 G];57.5 mT [575 G];10 mT [100 G]
防消磁 很舒适;超强
距离 = 2.54 mm [0.1 英寸] 处的磁通量 12 mT [120 G];37 mT [370 G];47 mT [470 G];28 mT [280 G];75 mT [750 G];94 mT [940 G];81.0 mT [810 G];20.5 mT [205 G]
磁铁形状 圆柱形内层螺纹 8x32 金属衬套;圆柱形内层螺纹 4x40 金属衬套;条形图;柱状;条形外螺纹 1/4-20 塑料衬套;内嵌到环氧树脂填充的 15/32-32 UNS-2A 螺纹铝外壳
距离 = 5.08 mm [0.2 英寸] 处的磁通量 19.5 mT [195 G];2.5 mT [25 G];7.5 mT [75 G];37.5 mT [375 G];5 mT [50 G];7 mT [70 G];42. mT [420 G];35 mT [350 G]
距离 = 0.25 mm [0.01 英寸] 处的磁通量 780 mT [7800 G];146 mT [1460 G]
系列名称 MG
工作温度 -40°C 至 250°C [-40°F 至 482°F];-40°C 至 200°C [-40°F 至 392°F];-40°C 至 300°C [-40°F 至 572°F];-40°C 至 130°C [-40°F 至 266°F];-40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F];-40°C 至 140°C [-40°F 至 284°F]
防磁防震 不良
距离 = 1.27 mm [0.05 英寸] 处的磁通量 41 mT [410 G];160 mT [1600 G];117 mT [1170 G];80 mT [800 G];100 mT [1000 G];75.5 mT [755 G];780 mT [7800 G];36.5 mT [365 G]
距离 = 0.76 mm [0.03 英寸] 处的磁通量 780 mT [7800 G];63 mT [630 G];210 mT [2100 G];55 mT [550 G]
磁铁材料/工艺 Alnico VIII / 烧结;稀土/压制;Alnico V/压铸;Alnico VI/烧结

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磁体 CMOS图像传感器资源附件
文件名称 大小 操作
MG Series Magnets 471.37 KB
Solutions For Healthier Air & HVAC Systems 3.77 MB

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