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光微科技 NV08 CMOS图像传感器

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产品详细信息

霍尼韦尔 VM 系列各向异性磁阻式 (AMR) 集成电路 (IC) 产品线采用独一无二的(专利待批)桥式设计和配置,用于检测磁环编码器目标的速度和方向。这三款产品包括 2 针和四针 AMR 传感器,不仅适用于变速箱、发动机曲轴、轮速测量、集成式轴承和密封速度和位置传感,还能用于测量泵、电机和压缩机轴转速。

这些产品旨在提高灵活性,适用于大多数类型的安装配置。

霍尼韦尔独特的解决方案采用饱和的 AMR 桥,在系统发生震动、突然气隙变化或目标跳动的情况下可提供更稳定的输出响应,无需复杂的幅度补偿算法。

相较于霍尔效应传感器集成电路,AMR 信号具有更高的敏感度,并且无需自动增益控制或斩波器稳定,避免了在工作范围内的抖动增大。

特征
  • 集成速度和方向或仅速度传感器集成电路
  • 正交输出版本
  • 运行情况与磁极尺寸无关
  • 工作温度范围 -40°C 至 +150°C
  • 零速输出
  • 无需校准
  • 对机械振动不敏感
  • 反向极性保护
  • 静电放电 (ESD) 保护
  • 组合封装电容器(二针版本)
  • 符合 ISO26262 ASIL-B(D)* 标准
  • 经过 AEC-Q100H Grade 0 认证*

*仅限 VM721V1 和 VM721D1

VM CMOS图像传感器技术参数

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产品类型 各向异性磁阻式 (AMR) 速度传感器集成电路;各向异性磁阻式 (AMR) 速度、方向或位置传感器集成电路;各向异性磁阻式 (AMR) 速度和方向传感器集成电路
电源电压 4 Vdc 至 24 Vdc;4 Vdc 至 24 Vdc(-40°C 至 110°C),4.0 V 至 9 V (150°C)
开关下降时间(90% 至 10%) 最大 1.5 µs
开关上升时间(10% 至 90%) 最大 8 µs;最大 1.5 µs
存储温度 -40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F]
供电电流 最大值 20 mA;高:14 mA 典型值,低:6.95 mA 典型值
输出类型 二针 PWM 电流;四针正交、集电极开路;二针电流
系列名称 VM
工作温度 -40°C 至 150°C [-40°F 至 302°F]
漏电流 最大 10 µA
励磁器类型 AMR 桥式阵列
输出电流 最大值 20 mA
封装类型 2 针 SIP、500 件/包;4 针 SIP、500 件/包
输出电压 最大 0.4 Vdc

产品替代

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VM CMOS图像传感器资源附件
文件名称 大小 操作
AMR Ring Magnet Sensor IC Jitter Test Performance Results Technical Note 713.13 KB
Magnetic Sensor IC Selection Chart 181.69 KB
Magnetic Sensor IC Product Line Card 441.98 KB
VM821Q1 AMR 4-Pin Quadrature Sensor Integrated Circuit 800.27 KB
VM721V1 AMR 2-Pin Speed Sensor Integrated Circuit 850.35 KB
VM721D1 AMR 2-Pin PWM Speed and Direction Sensor Integrated Circuit 855.80 KB
VM821Q1 AMR 4-Pin Quadrature Sensor Integrated Circuit 976.54 KB
VM721V1 AMR 2-Pin Speed Sensor Integrated Circuit 1.03 MB
VM721D1 AMR 2-Pin PWM Speed and Direction Sensor Integrated Circuit 1.04 MB
Speed and Direction Sensing in Transmission Applications Using Multipole Ring Magnet Encoder Targets Application Note 642.80 KB
Speed and Direction Sensing in Wheel Speed Applications Using Multipole Ring Magnet/Encoder Targets 608.46 KB
Solutions For Healthier Air & HVAC Systems 3.77 MB
Position Sensors Product Range Guide 4.70 MB

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