SVS11N65FJHE2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVS11N65FJHE2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点

• 11A,650V, R_DS(on)(typ.)=0.33W@V_GS=10V 
  

• 创新高压技术
  

• 低栅极电荷
  

• 较强的雪崩能力
  

• 较强的dv/dt能力
  

• 较高的峰值电流能力

封装外形图

TO-220FJH-3L