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光微科技 NV08 CMOS图像传感器

光微科技 NV08 面阵TOF模组

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  • Model 2025

  • CMOS图像传感器

  • ABB Measurement & Analytics 艾波比

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特性

  • Annular carbon electrodes enabling measurements up to 10,000 µS/cm
  • 带整体安装支架的浸入式传感器
  • 保证0.10和1.0单元常数
  • 一体式pt100温度传感器
  • Maximum temperature 90 °C (194 °F)
  • 整体式4.6米(15英尺)电缆
  • 环形碳电极,可测量高达10000µS/cm
  • 带有整体安装支架的浸入式浸入式传感器
  • 一体式Pt100温度传感器

2025年大多数工业槽中的浸入式电池和电导池是为2025年工业用浸入式电池设计的。电池由环形碳电极构成,具有抗极化能力,几乎不需要维护。设计和施工方法使产品成为世界一流的产品,在长寿命、质量和可靠性方面享有令人羡慕的声誉。

Model 2025 CMOS图像传感器技术参数

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性 能
电导率范围 0.0550 MicroSiemens/cm
特 性
电导池(电极)常数 0.1; 1
环 境
工作温度 194 F (90 C)
物 理
最大长度 4.06 inch (103 mm)
最大直径/宽度 1.06 inch (27 mm)
安装形式 Hand Held or Portable
更多规格
特征 Temperature Compensated; Submersible or Water Resistant
产品类别 Conductivity Electrodes

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