Texas Instruments 德州仪器 DRV5055A1QDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器
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DRV5055A1QDBZR
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Texas Instruments (TI) 德州仪器
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龙享科技
产品介绍
Texas Instruments DRV5055/DRV5055-Q1比例式线性霍尔效应传感器成比例地响应磁通密度。该器件可用于精确的位置检测，应用十分广泛。DRV5055/DRV5055-Q1采用3.3V或5V电源。没有磁场时，模拟输出驱动一半VCC。输出与施加的磁通密度保持线性变化，四个灵敏度选项可根据所需的感应范围实现最大输出电压摆幅。南北磁极生产独特电压。感应垂直封装顶部的磁通量，两种封装选项提供不同感应方向。该器件采用比例式架构，可消除外部模拟数字转换器 (ADC) 使用相同VCC作为其参考时来自VCC容差的错误。另外，DRV5055/DRV5055-Q1可抵消磁体漂移的磁体温度补偿，从而在–40°C至125°C的宽温度范围内实现线性性能。DRV5055-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。
DRV5055A1QDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器技术参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| RoHS | Y | |
| 产品 | Linear Hall Effect Sensors | |
| 类型 | Ratiometric Linear Hall Effect Sensor | |
| 说明 | 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ratiometric Linear Hall Effect Sensor 3-SOT-23 -40 to 125 | |
| 寿命周期 | 新产品: 此制造商的新产品。 | |
| 最大工作温度 | + 125 C | |
| 最小工作温度 | - 40 C | |
| 封装 / 箱体 | SOT-23-3 | |
| 封装 | Reel | |
| 系列 | DRV5055 | |
| 灵敏度 | 100 mV/mT | |
| 商标 | Texas Instruments | |
| 安装风格 | SMD/SMT | |
| 工作电源电流 | 6 mA | |
| 工作电源电压 | 3.3 V, 5 V | |
| 工厂包装数量 | 3000 | |
| 电源电压-最大 | 5.5 V | |
| 电源电压-最小 | 3 V | |
| 子类别 | Sensors | |
| 产品类型 | Hall Effect / Magnetic Sensors | |
| 输出电压 | 0 V to 5.5 V |
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DRV5055A1QDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| 1626253128206003.pdf | 2.37 MB | 下载 |
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