MDT 多维科技 TMR2701 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器
多维科技 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器 TMR2701
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TMR2701
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简介
TMR2701采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2701性能优越，采用SOP8封装（尺寸为6mm × 5mm × 1.7mm）形式。
应用
(1)微弱磁场检测；(2)电流检测；(3)位置传感器
特性
(1)隧道磁电阻(TMR)技术；(2)更高灵敏度；(3)宽动态范围；(4)低功耗；(5)优越的温度特性；(6)宽工作电压范围
TMR2701 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器技术参数
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| 饱和场（Oe） | ±50 | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～10 | |
| 交付周期 | In stock | |
| 供电电压 | 0～7 V | |
| 电阻（kΩ） | 80 | |
| 磁阻结构 | 全桥 | |
| 敏度（mV/V/Oe） | 12 | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 磁滞（Oe） | 0.3 | |
| 封装形式 | SOP8 | |
| 产品型号 | TMR2701 | |
| 兼容型号 | MMLH45F |
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| index | 547.25 KB | 下载 |
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