MDT 多维科技 TMR2305M 三轴TMR线性传感器
多维科技 三轴TMR线性传感器 TMR2305M
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TMR2305M
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DXY 鼎芯
简介
三轴TMR2305M采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2305M采用的封装形式：Module(9.5mm x 9.5mm x 6mm)。
特性
（1）隧道磁电阻 (TMR) 技术；（2）高灵敏度(25mV/V/Oe)；（3）低的本底噪声(<2nT/rT(Hz)@1Hz)；（4）三维线性感应；（5）更宽动态范围；（6）低功耗；（7）优越的温度稳定性；（8）宽工作电压范围；（9）无需置位/复位脉冲电路
应用
（1）三维空间测量；（2）微弱磁场检测；（3）电流传感器；（4）位置传感器
TMR2305M 三轴TMR线性传感器技术参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
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| 封装形式 | Module(9.5 x 9.5 x 6) | |
| 交付周期 | In stock | |
| 产品型号 | TMR2305M | |
| 供电电压 | 0～7 V | |
| 敏度（mV/V/Oe） | 25 | |
| 电阻（kΩ） | 9 | |
| 敏感方向 | X/Y/Z轴 | |
| 磁滞（Oe） | 1 | |
| 兼容型号 | — | |
| 磁阻结构 | 全桥 | |
| 饱和场（Oe） | ±10 | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～2 |
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| 文件名称 | 大小 | 操作 |
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