产品介绍
产品详情
主要用途
用磁控溅射的方法,制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等。
适用于镀制各种单层膜、多层膜及掺杂膜系。
可镀制磁性材料和非磁性材料。
设备结构及性能
单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室+进样室。
磁控溅射靶数量及类型:1~6靶,圆形平面靶、矩形靶。
靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装。
磁控溅射靶,射频、直流兼容。
基片可旋转、可加热。
通入反应气体,可进行反应溅射镀膜。
操作方式:手动、半自动、全自动。
真空性能
极限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa
设备总体漏放率:关机12小时,≤10Pa
全自动磁控溅射镀膜机
工件自动传递:采用超高真空机械手,完成工件自动传递。
直流和射频溅射电源工作模式设定和电源的闭环自动控制:电源可设定为恒功率、恒流或恒压工作模式;电源内嵌电脑芯片,可与上位机连接形成电源的闭环自动控制;射频溅射电源可自动调谐。
实时晶振膜厚监控仪,1~6路膜厚探头,可实时监控镀膜过程,构成镀膜过程闭环控制。
镀膜压力自动控制:采用薄膜规作为压力传感器,组成镀膜压力闭环自动控制系统。
温度自动控制:采用智能温控仪表,与上位机连接形成温度闭环自动控制,可实现温度曲线自动控制。
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