Silan 士兰微 3VD484600SYH-8 高压MOSFET芯片
3VD484600SYH-8
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3VD484600SYH-8
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Silan 士兰微
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Silan 士兰微
产品介绍
3VD484600SYH-8为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;
采用士兰DPMOS工艺平台制造;
较低的导通电阻;
较低的传导损耗和开关损耗;
开关速度快;
封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,照明等领域。
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