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Silan 士兰微 3VD579200YH N沟道增强型MOSFET芯片

3VD579200YH

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3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管;

较高的雪崩击穿耐量;

优越的开关性能;

该芯片可采用TO-220形式封装,典型的成品规格为SVD260;

封装后的成品广泛应用于功率电源,电源逆变器。


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