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Silan 士兰微 3VD768600SPYH 高压MOSFET芯片

3VD768600SPYH

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3VD768600SPYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;

采用士兰DPMOS工艺平台制造;

较低的导通电阻;

较低的传导损耗和开关损耗;

开关速度快;

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,照明等领域。


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