产品介绍
SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
20A,600V, RDS(on)(typ.)=0.16W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
封装外形图
TO-220FJD-3L
TO-262-3L
TO-220FJH-3L
TO-220F-3L
TO-3P
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