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Silan 士兰微 SVS80R800FJH(D)E3 超结MOS功率管

SVS80R800FJH(D)E3

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SVS80R800FJH(D)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。

此外,SVS80R800FJH(D)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。


主要特点

  • 7A,800VRDS(on)(典型值)=0.65W@VGS=10V

  • 创新高压技术

  • 低栅极电荷

  • 较强的雪崩能力

  • 较强的dv/dt能力

  • 较高的峰值电流能力

  • 100%雪崩测试

  • 无铅管脚镀层

  • 符合RoHS环保标准


封装外形图

TO-252-2L

TO-220FJH-3L

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