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单管igbt测试设备参数分析仪

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产品介绍

产品特点:

30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力;

测量精度高,全量程下可达0.03%精度;

内置标准器件测试程序,直接调用测试简便;

自动实时参数提取,数据绘图、分析函数;

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线;提供灵活的夹具定制方案,兼容性强;

免费提供上位机软件及SCPI指令集;


典型应用:

纳米、柔性等材料特性分析;

二极管;

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT;

第三代半导体材料/器件;

有机OFET器件;

LED、OLED、光电器件;

半导体电阻式等传感器;

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管;

电阻率系数和霍尔效应测量;

太阳能电池;

非易失性存储设备;

失效分析;


SPA-6100单管igbt测试设备参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。

基于模块化的体系结构设计,SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程,实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。详询一八一四零六六三四七六;

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