武汉普赛斯仪表 普赛斯PMST-8000V 半导体测试设备

普赛斯SiC功率器件测试设备，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。详询一八一四零六六三四七六；

系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA级漏电流；集电极-发射极，最大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；最高支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率最高支持1MHz。

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）； 大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

测试项目集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供

整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试。

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对SiC功率器件测试设备感兴趣，欢迎随时联系我们，详询一八一四零六六三四七六；