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武汉普赛斯仪表 PMST8000V 半导体测试设备

半导体结电容分析系统

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产品介绍

普赛斯半导体结电容分析系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六;

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法      灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。


系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使用,实现晶圆级芯片测试;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,最大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,最大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;最高支持3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率最高支持1MHz。

系统特点

高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);       大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;


系统参数

传感专家


测试项目集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等



武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。

详询一八一四零六六三四七六;


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