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Texas Instruments 德州仪器 DRV5055A2QDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器

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Texas Instruments DRV5055/DRV5055-Q1比例式线性霍尔效应传感器成比例地响应磁通密度。该器件可用于精确的位置检测,应用十分广泛。DRV5055/DRV5055-Q1采用3.3V或5V电源。没有磁场时,模拟输出驱动一半VCC。输出与施加的磁通密度保持线性变化,四个灵敏度选项可根据所需的感应范围实现最大输出电压摆幅。南北磁极生产独特电压。感应垂直封装顶部的磁通量,两种封装选项提供不同感应方向。该器件采用比例式架构,可消除外部模拟数字转换器 (ADC) 使用相同VCC作为其参考时来自VCC容差的错误。另外,DRV5055/DRV5055-Q1可抵消磁体漂移的磁体温度补偿,从而在–40°C至125°C的宽温度范围内实现线性性能。DRV5055-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。

DRV5055A2QDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器技术参数

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RoHS Y
产品 Linear Hall Effect Sensors
类型 Ratiometric Linear Hall Effect Sensor
说明 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ratiometric Linear Hall Effect Sensor 3-SOT-23 -40 to 125
寿命周期 新产品: 此制造商的新产品。
最大工作温度 + 125 C
最小工作温度 - 40 C
封装 / 箱体 SOT-23-3
封装 Reel
系列 DRV5055
灵敏度 50 mV/mT
商标 Texas Instruments
安装风格 SMD/SMT
工作电源电流 6 mA
工作电源电压 3.3 V, 5 V
工厂包装数量 3000
电源电压-最大 5.5 V
电源电压-最小 3 V
子类别 Sensors
产品类型 Hall Effect / Magnetic Sensors
输出电压 0 V to 5.5 V

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DRV5055A2QDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器资源附件
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