武汉普赛斯仪表 SPA6100 半导体测试设备

1200V/100A半导体参数分析仪概述：

SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。

基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。详询一八一四零六六三四七六；

产品特点：

30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力；

测量精度高,全量程下可达0.03%精度；

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；

自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；

免费提供上位机软件及SCPI指令集；

典型应用：

纳米、柔性等材料特性分析；

二极管；

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；

第三代半导体材料/器件；

有机OFET器件；

LED、OLED、光电器件；

半导体电阻式等传感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；

电阻率系数和霍尔效应测量；

太阳能电池；

非易失性存储设备；

失效分析；

系统技术规格

订货信息

主要性能指标：  

低压直流I-V源测量单元

-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-最大电压300V，最大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护

低压脉冲I-V源测量单元

-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-最大电压300V,最大直流1A或3A可选，最大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护

高压I-V源测量单元-精度0.1%         -最大电压1200V,最大直流100mA

-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护

高流I-V源测量单元

-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-最大电压100V，最大直流30A     ,最大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA

-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护

电压电容C-V测量单元

-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，最大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、  C-f、 C-t

硬件指标-IV测试

半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU) ，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。

灵活可定制化的夹具方案

针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC  MOS、GaN等单管，模组类产品的测试;也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。

探针台连接示意图