MDT 多维科技 TMR9002 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器
多维科技 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器 TMR9002
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TMR9002
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简介
TMR9002采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR9002性能优越，采用的封装形式：SOP8（6mm×5mm×1.5mm）。
特性
（1）隧道磁电阻（TMR）技术；（2）超高灵敏度（~100mV/V/Oe）；（3）更低的本底噪声（150pT/√Hz@1Hz）；（4）更低功耗；（5）优越的温度稳定性；（6）低的磁滞；（7）宽工作电压范围；（8）不需要置位/复位脉冲电路
应用
（1）微弱磁场检测；（2）电流传感器；（3）位置传感器；（4）生物医疗；（5）磁通讯
TMR9002 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器技术参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 封装形式 | SOP8 | |
| 交付周期 | In stock | |
| 产品型号 | TMR9002 | |
| 兼容型号 | — | |
| 磁阻结构 | 全桥 | |
| 电阻（kΩ） | 50 | |
| 饱和场（Oe） | ±8 | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | 0.15 | |
| 供电电压 | 0～3 V | |
| 敏度（mV/V/Oe） | 100 | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 磁滞（Oe） | 0.02 |
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| 文件名称 | 大小 | 操作 |
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| index | 723.50 KB | 下载 |
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