MDT 多维科技 TMR2701 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器
多维科技 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器 TMR2701
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TMR2701
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简介
TMR2701采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2701性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6mm × 5mm × 1.7mm)形式。
应用
(1)微弱磁场检测;(2)电流检测;(3)位置传感器
特性
(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)更高灵敏度;(3)宽动态范围;(4)低功耗;(5)优越的温度特性;(6)宽工作电压范围
TMR2701 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器技术参数
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饱和场(Oe) | ±50 | |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | ~10 | |
交付周期 | In stock | |
供电电压 | 0~7 V | |
电阻(kΩ) | 80 | |
磁阻结构 | 全桥 | |
敏度(mV/V/Oe) | 12 | |
敏感方向 | X轴 | |
磁滞(Oe) | 0.3 | |
封装形式 | SOP8 | |
产品型号 | TMR2701 | |
兼容型号 | MMLH45F |
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