MDT 多维科技 TMR2307 三轴TMR线性传感器
多维科技 三轴TMR线性传感器 TMR2307
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TMR2307
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简介
三轴TMR2307采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2307采用的封装形式:LGA(7mm x 7mm x 2.5mm)。
特性
(1)隧道磁电阻 (TMR) 技术;(2)三维线性感应;(3)高灵敏度(8mV/V/Oe);(4)低功耗;(5)优越的温度稳定性;(6)宽工作电压范围;(7)无需置位/复位脉冲电路;(8)更低的本底噪声(1nT/rtHz@1Hz)
应用
(1)三维空间测量;(2)微弱磁场检测;(3)电流传感器;(4)位置传感器
TMR2307 三轴TMR线性传感器技术参数
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封装形式 | LGA12L(7x7x2.5) | |
产品型号 | TMR2307 | |
敏度(mV/V/Oe) | 8 | |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | ~1 | |
电阻(kΩ) | 1.5 | |
饱和场(Oe) | ±30 | |
敏感方向 | X/Y/Z轴 | |
磁滞(Oe) | 0.2 | |
交付周期 | In stock | |
兼容型号 | — | |
磁阻结构 | 全桥 | |
供电电压 | 0~7 V |
产品替代
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