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MDT 多维科技 TMR2305M 三轴TMR线性传感器

多维科技 三轴TMR线性传感器 TMR2305M

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简介

三轴TMR2305M采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2305M采用的封装形式:Module(9.5mm x 9.5mm x 6mm)。

特性

(1)隧道磁电阻 (TMR) 技术;(2)高灵敏度(25mV/V/Oe);(3)低的本底噪声(<2nT/rT(Hz)@1Hz);(4)三维线性感应;(5)更宽动态范围;(6)低功耗;(7)优越的温度稳定性;(8)宽工作电压范围;(9)无需置位/复位脉冲电路


应用

(1)三维空间测量;(2)微弱磁场检测;(3)电流传感器;(4)位置传感器


TMR2305M 三轴TMR线性传感器技术参数

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封装形式 Module(9.5 x 9.5 x 6)
交付周期 In stock
产品型号 TMR2305M
供电电压 0~7 V
敏度(mV/V/Oe) 25
电阻(kΩ) 9
敏感方向 X/Y/Z轴
磁滞(Oe) 1
兼容型号
磁阻结构 全桥
饱和场(Oe) ±10
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~2

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