MDT 多维科技 TMR2305M 三轴TMR线性传感器
多维科技 三轴TMR线性传感器 TMR2305M
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TMR2305M
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简介
三轴TMR2305M采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2305M采用的封装形式:Module(9.5mm x 9.5mm x 6mm)。
特性
(1)隧道磁电阻 (TMR) 技术;(2)高灵敏度(25mV/V/Oe);(3)低的本底噪声(<2nT/rT(Hz)@1Hz);(4)三维线性感应;(5)更宽动态范围;(6)低功耗;(7)优越的温度稳定性;(8)宽工作电压范围;(9)无需置位/复位脉冲电路
应用
(1)三维空间测量;(2)微弱磁场检测;(3)电流传感器;(4)位置传感器
TMR2305M 三轴TMR线性传感器技术参数
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封装形式 | Module(9.5 x 9.5 x 6) | |
交付周期 | In stock | |
产品型号 | TMR2305M | |
供电电压 | 0~7 V | |
敏度(mV/V/Oe) | 25 | |
电阻(kΩ) | 9 | |
敏感方向 | X/Y/Z轴 | |
磁滞(Oe) | 1 | |
兼容型号 | — | |
磁阻结构 | 全桥 | |
饱和场(Oe) | ±10 | |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | ~2 |
产品替代
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文件名称 | 大小 | 操作 |
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