MDT 多维科技 TMR2103 大动态范围TMR线性传感器
多维科技大动态范围TMR线性传感器 TMR2103
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TMR2103
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简介
TMR2103采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2103性能优越,采用两种封装形式:SOP8(6mm × 5mm × 1.5mm)和DFN8(3mm × 3mm × 0.75mm)。
应用
(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)工业流量计;(4)位置传感器;(5)角度传感
特性
(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)高灵敏度;(3)宽动态范围;(4)更低功耗;(5)优越的温度稳定性;(6)更低的磁滞;(7)宽工作电压范围
TMR2103 大动态范围TMR线性传感器技术参数
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产品型号 | TMR2103 | |
磁阻结构 | 全桥 | |
电阻(kΩ) | 50 | |
饱和场(Oe) | ±75 | |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | ~10 | |
封装形式 | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) | |
交付周期 | In stock | |
兼容型号 | — | |
供电电压 | 0~7 V | |
敏度(mV/V/Oe) | 6 | |
敏感方向 | X轴 | |
磁滞(Oe) | 0.3 |
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