小程序
传感搜
传感圈

武汉普赛斯仪表 PMST-1000A 半导体测试设备

1000A车规IGBT静态参数测试仪

分享
  • 后询价或查看价格

  • PMST-1000A

  • 半导体测试设备

  • 武汉普赛斯仪表

  • 请咨询供应商

  • Precise Instrument 普赛斯仪表

产品介绍

IGBT测试难点:

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。

2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。

3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。

4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。

5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。

6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。


普赛斯1000A车规IGBT静态参数测试仪特点和优势:

单台Z大3000V输出;

单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;

10us的超快电流上升沿;

同步测量;

国标全指标的自动化测试;详询一八一四零六六三四七六

技术指标

                                           

项目参数
集电极-发射极Z大电压.3000V
Z大电流1000A
精度0.10%
漏电流测试量程1uA~100mA
栅极-发射极Z大电压.300V
Z大电流1A(直流)/10A(脉冲)
精度0.10%
Z小电压分辨率30uV
Z小电流分辨率10pA


可测项目

集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces

集电极-发射极饱和电压Vce      sat

集电极电流Ic,集电极截止电流Ices

栅极漏电流Iges,栅极-发射极阈值电压Vge(th)

栅极电阻Rg

电容测量

I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等

普赛斯1000A车规IGBT静态参数测试仪集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。详询一八一四零六六三四七六



产品替代

找到 个替代产品

半导体测试设备同类产品

加载中···

专家支持

0 / 300

选择图片

确定提交

提交成功

系统自动将您的问题推送给专家解答

查看专家解答
请扫码进入传感圈小程序

如何查看专家解答您的问题?

1
2
3
4