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不同线宽电流阻挡层的GaN基LED芯片光电特性研究
田媛 ,刘叶锋 ,陈晓冰 ,王忠东 ,闫晓密
广西科技师范学院,普瑞(无锡)研发有限公司
2024-10-10
发光二极管(LED)由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点,被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高LED的发光效率,在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层(CBL)的氮化镓(GaN)基LED,并研究其光电特性。结果表明,在120 mA测试电流作用下,由于CBL的插入增大了有源层有效光发射区域的电流密度,减少了p电极(ppad)下的寄生光吸收,LED芯片的辐射功率与光电转换效率随着CBL线宽的增加而单调增加,在CBL线宽设计为13 μm时,辐射功率与光电转换效率达到最大;正向电压(VF )随着CBL线宽的增加略有增加,表明绝缘的CBL层增大串联电阻。本文为CBL线宽的选择提供了新思路,可有效提高LED的发光效率。
  • 芯片光电
被引用: 456次
年份: 2024年
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内容目录
  • 引言

  • 1、器件制备

  • 2、结果与讨论

    • 2.1 标准CBL工艺下不同CBL线宽LED的光电特性

    • 2.2 不同制备工艺下不同CBL线宽LED的光电特性

  • 3、结论

核心点推荐
  • 发光二极管;电流阻挡层;氮化镓;发光效率