新硅能微电子(苏州)有限公司 由各知名高校、研究所教授及优秀的功率器件、模块设计团队组成，均具有十数年以上器件及模块设计和应用经验；聚焦Si/SiC基MOSFET、IGBT、FRD、PIM和IPM等产品，广泛应用于电源、储能、家电、工业以及新能源汽车等领域；拥有江苏省功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心；拥有多项发明和实用新型专利，拥有领先的产品设计及制程开发的核心自主研发能力，致力于为人类美好未来做贡献。
愿景
成为一流的中国功率半导体企业
信仰
敬天爱人，天道酬勤
使命
让功率更高效，让世界更美好
价值观
允公允能，惟实励新；至善至精，诚信悦人；
技术引领
新硅能目前已获得47项专利，其中10项是发明专利，37项是实用新型专利。专利是我们在市场竞争中的竞争力源泉，确保了我们的产品在性能、效率和可靠性方面处于领先地位。
通过专利保护，我们保障了创新的成果，鼓励更多的创新者加入我们的行列，一起塑造半导体领域的未来。我们将继续致力于创新，不断积累专利，为客户提供更多的选择，为行业的发展注入新动力。
质量管理体系
新硅能微电子(苏州)有限公司已通过 ISO9001：2015质量体系认证。
科研支持
硅能半导体功率MOSFET芯片设计工程技术研究中心是江苏省省属实验室，我们打造了一个为MOSFET、IGBT、SiC和模块等主要产品的研究和开发提供强大支持的创新平台，致力于为MOSFET、IGBT、SiC和MODULE等主要产品的研发提供一个卓越的实验环境。
现在我们的实验室支持：前沿设备和技术、专业团队指导、交叉学科合作。为我们的产品提供详细的性能验证，提供了验证新技术和创新想法的平台，为产品开发提供了重要支持。为MOSFET、IGBT、SiC和模块等产品的深入研究和开发提供了一个受控、创新的环境。
主要产品
MOSFET
IGBT
SiC
MODULE
应用领域
快速充电器，充电桩应用，电池保护，直流电机驱动，光伏逆变器，其它应用
