上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”），成立于2020年1月，位于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。作为先进的化合物半导体晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，专注于为功率和光电两大应用领域的客户提供多元化的晶圆代工及配套服务，生产的芯片可广泛应用于通信、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等终端应用领域。
作为客户可信赖的合作伙伴，新微半导体不仅拥有完备的工艺制程和全套的解决方案，还为客户提供设计支持、MPW晶圆服务、光罩服务、测试与分析服务等增值服务。同时，依托自有的晶圆级、芯片级测试能力，用一站式服务满足不同客户的需求，以缩短客制产品进入市场的时间，为客户创造更高的商业价值。
新微半导体拥有一支具备全球化视野、产业经验丰富的生产、研发和管理团队，吸引了来自海内外具有丰富产业经验的技术人才,形成了成熟的研发和技术团队。新微半导体在国内外化合物半导体技术基础上，通过先进异质外延技术、新型键合技术和衬底技术,实现与硅工艺的深度融合，获得性能和成本的双重竞争力。
企业文化
企业使命：让人们拥有美好“芯”生活
企业文化理念：以人为本 艰苦奋斗
企业愿景：成为业内领先的化合物半导体晶圆代工企业
企业精神：厚德载物 自强不息
企业价值观：博学笃行 志存高远
发展理念：博观约取 厚积薄发
企业大事记
2020
1月23日 2020 公司注册成立
8月10日 2020 公司获国家发改委集成电路重大项目窗口指导批复
9月29日 2020 项目桩基
2021
4月30日 2021 公司化合物半导体量产线洁净厂房结构封顶
9月20日 2021 公司首台工艺设备搬入
12月31日 2021 生产通线
2022
1月18日 2022 公司获批立项“上海市化合物半导体技术创新中心”
9月20日 2022 一期建设工程正式完工
2023
1月5日 2023 新微半导体推出光电探测器系列工艺平台
5月18日 2023 新微半导体40V增强型氮化镓功率器件工艺平台发布
产学研平台
新微半导体坚持“产学研”结合，通过积极引进外部高端智力、培育本土技术创新团队、坚持聚焦产业热点、深入钻研工艺平台、加速科技成果转化，培养了一支高素质的集成电路人才队伍，构建了完整的从工程技术研究、器件制造到交叉应用的系统性的技术创新链，形成一流的化合物半导体器件及应用创新策源地和工程基地。
化合物半导体技术可大幅升现代复杂电子系统的性能，助推集成电路等领域打造世界级产业集群，加快上海建设具有全球影响力的科技创新中心。
解决方案
业务领域概述
作为先进的集成电路化合物晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，为广大客户提供3/4/6吋基于氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP）材料的一站式化合物半导体晶圆代工服务，可以满足客户多元化需求。
应用场景
功率、光电
功率解决方案
在功率半导体领域，新微半导体基于自产的外延片，提供覆盖低压、中压和高压（40V-650V）的硅基氮化镓功率工艺解决方案。公司具备6吋非金工艺的晶圆代工能力，为客户提供低本高效的氮化镓功率器件代工服务，产品广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子和光伏等领域。
应用场景
电子消费、工业电源、新能源汽车、光伏
光电解决方案
在光电领域，新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）与4/6吋砷化镓（GaAs）材料的全系列光电工艺解决方案，为广大客户提供覆盖各波段的边发射激光器（包括FP、DFB和EML等）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）和高灵敏度的光电探测器（包括PD、MPD和APD等）工艺平台。产品可广泛应用于光通讯、数据中心、人脸识别、汽车雷达、医疗与消费电子等众多终端应用领域。
光电探测器(PD)工艺平台
新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）和4吋砷化镓（GaAs）材料体系的PD艺平台，包含可实现光敏面直径至3000μm大尺寸MPD和10G/25G高速光通信PD/APD两大工艺平台。凭借高响应度、高灵敏度、高速度和低暗电流等优异性能，为客户提供低本高效的解决方案。产品可广泛应用于通信、工业、医疗和消费电子等领域。
边发射激光器（FP/DFB）工艺平台
新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）材料体系的、中心波长覆盖600nm-2100nm的FP/DFB工艺平台，包括最大功率可达50W的FP工艺平台和2.5G/10G/25G的DFB工艺平台，拥有高功率、宽调谐范围和窄线宽等卓越的性能特征，产品可广泛应用于气体探测、医疗美容和精密测量等领域。
垂直腔面发射激光器（VCSEL）工艺平台
新微半导体提供4/6吋砷化镓（GaAs）材料体系的VCSEL工艺平台，包含高速10G/25G/50G PAM4 850nm VCSEL和高功率陈列VCSEL两大类型。光通信VCSEL工艺平台具有高效光耦合、高速调制和低功耗等诸多优势；阵列VCSEL工艺平台拥有低成本、高功率和高良率等卓越优势。产品可广泛应用于数据中心、人脸识别和激光雷达等诸多应用领域。
光电外延工艺平台
新微半导体光电外延工艺平台配备了先进的外延机台设备及完备的配套测试分析设备群组系统，可覆盖 nP 和 GaAs两大材料体系外延生长工作。该平台还具备多次外延、Zn 扩散和隧道结等特殊外延工艺能力，晶圆尺寸涵盖 了 吋、4 吋和 6吋三种不同尺寸范围，波长范围从 6xxnm 到 20xxnm,测试分析手段有 EpiTT、Surface-Scan、XRD、PL、ECVAFM、LE1、Hall 及新微半导体内部 FIB+TEM 相结合的分析方式，可以为客户提供详细的测试分析报告，满足光通信传感和工业加工等应用领域对于各类激光器及探测器外延产品的标准化和定制化需求。
应用场景
光通信、汽车雷达、医疗电子、数据中心、消费电子、工业应用
增值服务
设计支持服务
新微半导体致力于缩短客户新产品上市周期，建构自有精准元器件模型、多样化的设计套件等，并与设计软件供应商合作以提供完整的设计服务，增进设计平台使用的便捷性，并提升电路模拟的准确率，提供高效的设计版图布局验证与光罩服务。
新微半导体分析实验室为公司的功率和光电工艺平台提供分析测试服务，提升产品良率。同时，通过微尺度评测与分析方案，该实验室还可以为客户提供高质量、系统性和全方位的测试、分析服务。
标准/定制PDK服务、精准in-house模型、版图Sign-off与光罩Tape-out服务
分析测试服务
新微半导体分析实验室基于对外延材料及器件结构的电磁、热学和物性结构，提供包含电性失效分析(EFA)与物性失效分析(PFA) 服务，解决工艺平台研发及产品制造过程中的各种疑难问题，提供全面、详细和准确的分析报告和解决方案，优化工艺、降本增效，以满足客户多样化的需求。
物性失效分析、电性失效分析、晶圆筛选测试、设计支持服务
品质保证
质量愿景：准时高质量交付
质量方针 HSF方针
新微半导体致力于提供满足甚至超越客户需求的高品质产品和优质客户服务，实行全面质量管理，确保工艺与产品的稳定性、高质量/高可靠性，并推动客户满意度的持续提升。为此，我们承诺：
招聘德才兼备并具有客户导向特质之员工
倾听并及时反馈客户声音
鼓励员工大胆创新，仔细求证，做到第一次就做对
执行全员质量管理，鼓励全体员工通过PDCA不断改进流程与服务
HSF方针：满足HSF要求，改进HSF绩效。
方针释义:在建立HSPM体系过程中，我们要遵守HSF相关的法律法规和满足客户要求，切实改进HSPM体系过程绩效，生产出符合环保要求的绿色产品。
质量战略
质量管理执行在人，要求人员专业化、品德诚信正直，人才需求宁缺毋滥。
以顾客为中心，快速响应，将客户要求与期望及时落实，实现质量目标。
质量是一切工作与服务的原则，强调领导者的质量领导力，强调全员质量意识。
每个员工都是质量管理不可或缺的一员,尊重流程与规则，要求预防为主，持续改进。
用数据说话：将数据和信息的分析与评价，作为决策和行动的依据。
品质保障
智能生产系统—高质量稳定
EAP系统、设备控制、系统化质量管理、关键物料线上管控、工艺控制
信息安全管理
新微半导体具有一套全面完整、科学有效的信息安全管理体系，在人力资源、组织管理、资产管理、物理环境、操作、通信和访问控制等方面保护用户信息安全，并提供高稳定性的运营系统。
公司始终秉承“积极防范，突出重点，严格执行，人人有责”的指导方针，不断完善和全面提升自身的信息安全管理水平，积极履行维护客户信息安全的责任，并将信息安全维护和管理真正内化到晶圆厂运营、技术研发和客户服务等各个方面，实现公司的可持续发展。
体系证书
