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Applied Power 应能微电子

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公司简介


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江苏应能微电子股份有限公司 (简称“应能”) 是一家致力于功率和模拟集成电路 (IC) 设计、制造和销售的半导体技术公司,国家高新技术企业。应能成立于2012年3月,总部位于中国常州,并在上海、深圳和美国洛杉矶设立有分公司和研发机构。应能的核心团队来自美国硅谷,在多个知名集成电路半导体公司 (Motorola, Ti, Maxim, Skyworks, Semtech等) 积累了丰富的行业经验。应能拥有的专利技术将集成电路设计和亚微米半导体制成工艺相结合,融合了多项团队自主的技术创新。

应能的战略目标是成为国内龙头、国际领先的以功率和电源管理为主的半导体器件和模拟集成电路芯片供应商。战略实施是通过利用自主研发的专有技术,开发高性能功率和模拟集成电路芯片,同时与国内外客户的密切接触,深度理解客户和市场的需要,竭力为客户提供有价值的应用解决方案;利用周边 (上海、苏州、无锡、南京) 完善的供销产业链,缩短产品量产和市场推广周期。应能将努力开发和完善自主的技术创新,不断拓宽产品线及其应用领域。

我们的半导体芯片应用市场包括快速增长的消费电子 (智能手机、计算机、平板电脑、高清电视、机顶盒等) ,并在通讯、安防、工业和汽车上均有广泛的应用。我们的高性能瞬态电压抑制器 (TVS) 产品系列在漏电、电容和钳位电压等关键性能指标上表现出色。我们的硅基MOSFET产品覆盖从20V到800伏的电压范围,具有业界高水平的低RDS (ON) 和开关损耗。我们正在开展1200伏碳化硅 (SiC) MOSFET的研发,这将使我们成为在电动汽车 (EV) 、新能源发电 (PV和风能) 、工业电机驱动和不间断电源 (UPS) 等领域关键参与者和大功率半导体芯片供应商。

核心团队由多名海归博士和硕士 (美国、台湾、新加坡) 组成,有在全球半导体行业龙头公司 (Motorola, Global Foundries, TI, STMicro, Skyworks, Semtech) 的直接工作经验团队,人均20年的功率半导体和集成电路行业经验。

迄今为止已经开发完成300多种高性能功率MOSFET和电路保护产品,>90%的产品已经进入量产,是国内为数不多的具有独立芯片设计能力、产品系列齐全、性能高效的半导体功率器件供应商。

我们的产品线包含电路防护,功率晶体管,电源管理IC,二极管和小信号晶体管以及射频和无线IC等,为客户提供有价值的应用解决方案。我们的产品广泛应用于手持设备,消费电子,网络,安防,计算机,物联网,工业和汽车等领域。

我们正致力于第三代化合物半导体(SiC/GaN)功率器件研发,持续完善特色工艺平台布局,有望实现弯道超车,在全球市场占据一定份额。


主要产品

电路防护、功率晶体管、二极管和小信号晶体管、电源管理、射频&无线

应用领域

手持设备、网络、计算机、工业、消费电子、安防、物联网、汽车


荣誉资质


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质量体系

质量管理体系

应能致力于设计开发具有竞争力、超越行业标准的高性能功率半导体产品,通过严格的质量管理体系来不断的提高客户满意度。公司以ISO9001质量管理体系为标准,建立并实行一套完整的质量管理体系,从集成电路设计、开发到销售的全过程均实行严格的质量控制,以达成我们的质量目标。

公司半导体集成电路制造的主要过程以委外加工的形式为主,主要供应商通过ISO9001、IATF16949、ISO14001和OHSAS18001认证。

质量方针

诚信为本,质量第一,创新为魂,优质服务

在质量管理中,我司认真按照ISO9001:2015《质量管理体系要求》进行质量管理,销售服务中严格按照顾客要求和法律法规要求进行服务提供。


质量认证

我们的ISO9001认证证明我们致力于维护质量管理体系和生产环保可持续产品。


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技术优势

核心工艺

团队掌握功率半导体器件结构和工艺上的核心技术,来自于团队多年积累下来的工艺研发的经验

经验丰富的团队能够有效的与晶圆代工厂合作开发高效的功率半导体工艺平台,为产品的性能优势打下基础

我们团队在工艺仿真上拥有丰富经验,通过与器件仿真结合可以缩短芯片开发时间和降低设计风险

高压功率器件设计和仿真

团队拥有丰富的在功率半导体器件和模块的设计经验,可以缩短产品的设计周期,在短时间里将具有竞争力的产品推向市场

我们团队在器件模拟和仿真上拥有丰富经验,可以通过器件仿真降低设计参数达不到指标的风险

产品性能优势

我们的超结 (SJ) 高压MOSFET、屏蔽栅沟槽型 (SGT) MOSFET、SiC MOSFET系列将专有的设计和工艺技术相结合来实现行业高效的性能

我们已推出具有300V浪涌能力的OVP IC芯片;

我们的TVS产品在漏电、电容和浪涌IPP等性能表现出色

我们已研发高可靠性的1700V SiC MOSFET