Avalanche Technology 总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，是利用 300 毫米标准 CMOS 工艺制造的垂直磁隧道结 (pMTJ) 单元结构的自旋转移力矩磁 RAM (STT-MRAM) 非易失性存储器的全球领导者。凭借 300 多项有关利用 MRAM 的单元、电路和系统设计的专利，我们的技术和产品提供了突破性的速度、无限的耐用性和非易失性，同时降低了功耗和成本。凭借这些特性，我们的技术将服务于并超越客户的目标，作为嵌入式应用中除分立 SRAM、非易失性 SRAM、NOR 和 DRAM 之外的 SRAM、eFlash 和 ROM 的替代品。
