苏州东微半导体股份有限公司 成立于2008年，注册资本5053.2275万元，是一家技术驱动型的半导体技术公司，在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累，专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年，东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表，标志着国内科学家在半导体核心技术方向获得重大突破。新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道，引起了国内外业界的高度关注。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前，东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入多个国际一线客户，并受到了客户的一致好评。
主要产品
包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、光伏组串逆变器及储能逆变器、工业电源等为代表的工业级应用领域，以及以手机快速充电器及大屏幕显示电源为代表的消费电子应用领域。公司在保持高压超级结MOSFET领域优势的基础上，还有超级硅MOSFET产品、高压高速Tri-gate IGBT（“TGBT”）等先进产品。
