波长:940nm |
颜色 - 增强:蓝/绿 |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 940nm |
响应时间:2ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
有效面积:5mm² |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 变体,2 引线,透镜顶金属罐 |
波长:940nm |
颜色 - 增强:蓝/绿 |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 940nm |
响应时间:45ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
有效面积:10mm² |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 变体,2 引线,透镜顶金属罐 |
波长:950nm |
颜色 - 增强:蓝/绿 |
频谱范围:250nm ~ 1100nm |
不同 nm 时响应度:0.22 A/W @ 365nm |
响应时间:100ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
有效面积:7.5mm² |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 变体,2 引线,透镜顶金属罐 |
波长:950nm |
频谱范围:300nm ~ 1100nm |
有效面积:1.2mm² |
波长:950nm |
颜色 - 增强:蓝/绿 |
频谱范围:250nm ~ 1100nm |
不同 nm 时响应度:0.22 A/W @ 365nm |
响应时间:100ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):200pA |
有效面积:1.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 透镜顶部金属罐 |
波长:950nm |
频谱范围:350nm ~ 1100nm |
有效面积:10mm² |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 |
波长:940nm |
频谱范围:254nm ~ 1100nm |
有效面积:15mm² |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 |
波长:950nm |
颜色 - 增强:蓝/绿 |
频谱范围:250nm ~ 1100nm |
不同 nm 时响应度:0.22 A/W @ 365nm |
响应时间:100ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):100pA |
有效面积:7.5mm² |
工作温度:-40°C ~ 100°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 变体,2 引线,透镜顶金属罐 |
波长:800nm |
颜色 - 增强:红外(NIR) |
频谱范围:450nm ~ 1050nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V |
有效面积:500µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 55°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 变体,4 引线,透镜顶金属罐 |
波长:800nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V |
电流 - 暗(典型值):50pA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-2,金属罐 |
波长:800nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):160 V |
电流 - 暗(典型值):50pA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-2,金属罐 |
波长:800nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):160 V |
电流 - 暗(典型值):50pA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 金属罐 |
波长:800nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V |
电流 - 暗(典型值):50pA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-2,金属罐 |
波长:800nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):160 V |
电流 - 暗(典型值):50pA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-2,金属罐 |
波长:800nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V |
电流 - 暗(典型值):50pA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 金属罐 |
波长:800nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):160 V |
电流 - 暗(典型值):50pA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 800nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V |
电流 - 暗(典型值):200pA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-2,金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 800nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):160 V |
电流 - 暗(典型值):200pA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-2,金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 800nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V |
电流 - 暗(典型值):200pA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 800nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):160 V |
电流 - 暗(典型值):200pA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 800nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V |
电流 - 暗(典型值):400pA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-2,金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 800nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):160 V |
电流 - 暗(典型值):400pA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-2,金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 800nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V |
电流 - 暗(典型值):400pA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 800nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):160 V |
电流 - 暗(典型值):400pA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 金属罐 |
波长:905nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:55 A/W @ 905nm |
响应时间:600ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V |
电流 - 暗(典型值):400pA |
有效面积:500µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-46-3 金属罐 |
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