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SK Hynix 海力士
SK Hynix Inc. (海力士)前身为1983年成立的韩国现代电子产业株式会社,2012年被SK集团收购以后正式更名为SK海力士株式会社。SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。作为全球领先的半导体制造商,当前在韩国利川和清州、 中国无锡和重庆设有四个生产基地,并在全球16个国家和地区设立了销售、研发等基地。基于过去三十多年的半导体生产运营经验, SK海力士致力于实现持续的研发与投资,增强技术与成本竞争力,引领全球半导体市场。发展历程1983 创立现代电子1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM1987 开始出口256Kb DRAM1989 全球半导体市场份额列入前二十1995 全球首次开发256Mb SRAM,成为韩国十大制造企业1996 企业公开募股及上市1999 量产全国最快Graphic 16Mb SDRAM,收购LG半导体2001 更名为海力士半导体股份公司,脱离现代集团2004 成功研发NAND Flash产品2005 开始生产300mm2006 中国合作工厂竣工2008 韩国清州M11竣工2012 SK海力士成立,韩国清州M12竣工,意大利/美国/台湾技术中心成立2013 全球首次研发TSV技术HBM2014 重庆后工序生产公司成立2015 韩国利川M14竣工2017 研发出20纳米级全球最快的GDDR62018 韩国清州M15竣工,韩国利川M16开工2019 行业首次研发出128层4D NAND,无锡C2F竣工中国业务SK海力士半导体(中国)有限公司
  • SK Hynix 海力士 CID CMOS Image Sensor CMOS图像传感器

    垂直像素:3120 Pixels
    像素大小:1.4 µm (0.0551 mils)
    帧速率:30 fps
    供电电压:1.2 to 2.8 volts
    图像传感器输出:8 bit; 10 bit
    工作温度:-20 to 60 C (-4 to 140 F)
    光学格式:1/6;Other
    水平像素:4208 Pixels
    封装形式:Bare Die (COB), ShellUTCSP, NeoPACCSP, TSV CSP, PLCC
    产品类别:CMOS Image Sensors

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