波长:850nm,1300nm,1550nm |
频谱范围:800nm ~ 1700nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.2 A/W @ 850nm,0.9 A/W @ 1300nm,0.95 A/W @ 1550nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):140nA |
有效面积:5mm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-233AA,TO-8-3 透镜顶部金属罐 |
波长:800nm |
频谱范围:800nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:50 A/W @ 800nm |
响应时间:200ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):210 V |
电流 - 暗(典型值):2.5nA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 60°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-CLCC |
波长:650nm |
频谱范围:500nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:35 A/W @ 650nm |
响应时间:200ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):210 V |
电流 - 暗(典型值):2.5nA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 60°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-CLCC |
波长:900nm |
频谱范围:500nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:60 A/W @ 900nm |
响应时间:900ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):260 V |
电流 - 暗(典型值):500pA |
有效面积:80µm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-CLCC |
波长:900nm |
频谱范围:500nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:60 A/W @ 900nm |
响应时间:900ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):260 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-CLCC |
波长:905nm |
频谱范围:500nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:60 A/W @ 900nm |
响应时间:900ps |
电流 - 暗(典型值):5nA |
有效面积:500µm 直径 |
工作温度:-20°C ~ 60°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:6-CLCC |
波长:900nm |
频谱范围:500nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:60 A/W @ 900nm |
响应时间:900ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):260 V |
电流 - 暗(典型值):50pA |
有效面积:230µm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD,无引线 |
波长:900nm |
频谱范围:500nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:60 A/W @ 900nm |
响应时间:900ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):260 V |
电流 - 暗(典型值):100pA |
有效面积:500µm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD,无引线 |
波长:430nm |
频谱范围:400nm ~ 700nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:26 A/W @ 430nm |
响应时间:2ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V |
电流 - 暗(典型值):1.5nA |
有效面积:5.6mm² |
工作温度:0°C ~ 50°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:2-DIP |
波长:430nm |
频谱范围:400nm ~ 700nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:52 A/W @ 430nm |
响应时间:2ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):450 V |
电流 - 暗(典型值):2nA |
有效面积:5.6mm² |
工作温度:0°C ~ 50°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:2-DIP |
频谱范围:350nm ~ 850nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):95 V |
电流 - 暗(典型值):700nA |
有效面积:3mm² 高 x 3mm² 宽 |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 900nm |
响应时间:5ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V |
电流 - 暗(典型值):10nA |
有效面积:0.8mm² |
工作温度:-40°C ~ 80°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18-2 金属罐 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 900nm |
响应时间:12ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V |
电流 - 暗(典型值):30nA |
有效面积:5mm² |
工作温度:-40°C ~ 80°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 |
波长:1060nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:8 A/W @ 1060nm |
响应时间:1ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):290 V |
电流 - 暗(典型值):75nA(最大) |
有效面积:0.5mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 |
波长:830nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:77 A/W @ 830nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:60 A/W @ 900nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18 |
波长:830nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:128 A/W @ 830nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18 |
波长:830nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:128 A/W @ 830nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-66 |
波长:830nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:128 A/W @ 830nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-66 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:560 KV/W @ 900nm |
响应时间:10ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):425 V |
有效面积:0.5mm² |
视角:130° |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
波长:1064nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:36 A/W @ 1060nm |
响应时间:3ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):475 V |
电流 - 暗(典型值):50nA |
有效面积:0.50mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:70 A/W @ 900nm |
响应时间:2ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):490 V |
电流 - 暗(典型值):200nA |
有效面积:1.77mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:45 A/W @ 900nm |
响应时间:2ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):500 V |
电流 - 暗(典型值):200nA |
有效面积:7mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 |
波长:850nm |
频谱范围:400nm ~ 1150nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 850nm |
响应时间:3.5ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125 V |
电流 - 暗(典型值):5nA |
有效面积:5.1mm² |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 |
波长:850nm |
频谱范围:400nm ~ 1150nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 850nm |
响应时间:5ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125 V |
电流 - 暗(典型值):10nA |
有效面积:20mm² |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-233AA,TO-8-3 透镜顶部金属罐 |
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