探测率:0.63E08 cmHz^(½)/W |
测量范围:-30 to 100 C |
响应时间:0.5 seconds |
响应率:125 V/W |
储存温度:-40 to 125 C |
芯片尺寸:11.5mm x 1.5mm |
封装形式:8英寸蓝膜包装（切片/未切片，可选） |
敏感面积:芯片1：1.15 mm2 |
热电堆温度系数:0.06 % |
热电堆电阻:90 to150 kohms |
探测率:0.63 10^8cmHz^(½)/W |
测量范围:-30 to 100 C |
响应时间:0.5 s |
响应率:125 V/W |
储存温度:-40 to 125 C |
芯片尺寸:1.5mm×1.5mm |
封装形式:8英寸蓝膜包装（切片/未切片，可选） |
敏感面积:芯片1：1.10 mm2 |
热电堆温度系数:0.06 %/℃ |
热电堆电阻:70 kΩ (Min.) 120 kΩ (Typ.) 200 kΩ (Max.) |
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