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北京逸博微科技有限公司注册地址位于北京市海淀区清河嘉园东区甲1号楼12层1215，注册机关为北京市海淀区市场监督管理局，法人代表为吴俊莉，经营范围包括技术开发、技术推广、技术转让、技术咨询、技术服务；销售电子产品、器件和元件、计算机、软件及辅助设备。

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ON Semiconductor 安森美 QSB363 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:轴向

ON Semiconductor 安森美 QSE114 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE114E3R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE122 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE133 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE213 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE213C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE214 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE214C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 FLD00030 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:6 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:630nm
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳:2-SMD，J 形引线

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