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深圳众横

深圳市众横芯业科技有限公司注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区中航路42号中航北苑大厦5-C5，注册机关为深圳市市场监督管理局，法人代表为李志康，经营范围包括一般经营项目是：计算机软硬件的技术开发、销售；电子产品的销售及其他国内贸易，从事货物及技术的进出口业务（法律、行政法规、国务院决定规定在登记前须经批准的项目除外）。，许可经营项目是：,

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ON Semiconductor 安森美 KDT00030TR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:6 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.1 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:630nm	安装类型:表面贴装型	方向:顶视图
工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，J 形引线

ON Semiconductor 安森美 QSB320FTR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
波长:880nm	视角:120°	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-55°C ~ 100°C（TA）
封装/外壳:2-PLCC

ON Semiconductor 安森美 QSB320TR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
波长:880nm	视角:120°	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-55°C ~ 100°C（TA）
封装/外壳:2-PLCC

ON Semiconductor 安森美 QSB363ZR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:940nm	视角:24°	功率 - 最大值:75 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳:2-SMD，Z形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSB373ZR 光学传感器 - 光电晶体管

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:2-SMD，Z形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSC112CC6R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:8°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	封装/外壳:径向，3mm 直径（T-1）

ON Semiconductor 安森美 QSC113C6R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:8°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	封装/外壳:径向，3mm 直径（T-1）

ON Semiconductor 安森美 QSD122A4R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:880nm	视角:24°	功率 - 最大值:100 mW
安装类型:通孔	方向:顶视图	封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）

ON Semiconductor 安森美 QSD123 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:24°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）

ON Semiconductor 安森美 QSD724 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:40°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:TO-18-2

ON Semiconductor 安森美 QSD733 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:40°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:TO-18-2

ON Semiconductor 安森美 QSD733C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:40°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	封装/外壳:TO-18-2

ON Semiconductor 安森美 QSE1103 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5 V	波长:880nm	视角:50°
功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔，直角	方向:侧视图
工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:3-SIP，侧视图

ON Semiconductor 安森美 FLD00030 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:6 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:630nm
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳:2-SMD，J 形引线

ON Semiconductor 安森美 QSB363YR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，轭形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSD123A4R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:880nm	视角:24°	功率 - 最大值:100 mW
安装类型:通孔	方向:顶视图	封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）

ON Semiconductor 安森美 QSD124 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:24°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）

ON Semiconductor 安森美 QSD124A4R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:24°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）

ON Semiconductor 安森美 QSE133 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE213 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE213C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE214 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE214C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE113 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE113E3R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

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