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深圳源芯半导体

深圳源芯半导体有限公司注册地址位于深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦1920室，注册机关为深圳市市场监督管理局，法人代表为黄庆武，经营范围包括一般经营项目是：电子配件及半导体材料、计算机周边产品的研发和销售；国内贸易（不含专营、专卖、专控商品）；经营进出口业务（不含限制项目）.，许可经营项目是,

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ON Semiconductor 安森美 FLD00030 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:6 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:630nm
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳:2-SMD，J 形引线

ON Semiconductor 安森美 QSD724 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:40°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:TO-18-2

ON Semiconductor 安森美 QSD733 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:40°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:TO-18-2

ON Semiconductor 安森美 QSD733C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:40°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	封装/外壳:TO-18-2

ON Semiconductor 安森美 QSE1103 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5 V	波长:880nm	视角:50°
功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔，直角	方向:侧视图
工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:3-SIP，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE113 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE113E3R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE114 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE114E3R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE122 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE133 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE213 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE213C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE214 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE214C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 KDT00030TR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:6 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.1 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:630nm	安装类型:表面贴装型	方向:顶视图
工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，J 形引线

ON Semiconductor 安森美 QSB320 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
波长:880nm	视角:120°	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-55°C ~ 100°C（TA）
封装/外壳:2-PLCC

ON Semiconductor 安森美 QSB320FTR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
波长:880nm	视角:120°	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-55°C ~ 100°C（TA）
封装/外壳:2-PLCC

ON Semiconductor 安森美 QSB320TR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
波长:880nm	视角:120°	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-55°C ~ 100°C（TA）
封装/外壳:2-PLCC

ON Semiconductor 安森美 QSB363 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:轴向

ON Semiconductor 安森美 QSB363CGR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，鸥翼

ON Semiconductor 安森美 QSB363CYR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，轭形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSB363CZR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，Z形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSB363GR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:940nm	视角:24°	功率 - 最大值:75 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳:2-SMD，鸥翼

ON Semiconductor 安森美 QSB363YR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，轭形弯曲

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ON Semiconductor 安森美 FLD00030 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSD724 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSD733 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSD733C 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE1103 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE113 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE113E3R0 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE114 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE114E3R0 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE122 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE133 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE213 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE213C 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE214 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSE214C 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 KDT00030TR 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB320 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB320FTR 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB320TR 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB363 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB363CGR 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB363CYR 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB363CZR 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB363GR 光学传感器 - 光电晶体管

ON Semiconductor 安森美 QSB363YR 光学传感器 - 光电晶体管

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