小程序
传感搜
传感圈
深圳中飞凌
深圳市中飞凌科技有限公司 注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院1栋、2栋2栋5层518,注册机关为福田局,法人代表为曹文忠,经营范围包括一般经营项目是:电子产品、数码产品、通讯设备、网络设备、计算机软硬件的技术开发与销售;国内贸易,货物及技术进出口。,许可经营项目是:,
  • Silan 士兰微 SVG06100NSA 低压MOS功率管

    SVG06100NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111NA6 低压MOS功率管

    SVG10111NA6  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10111ND 低压MOS功率管

    SVG10111ND  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG10170ND(T) 低压MOS功率管

    SVG10170ND(T)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R0NL5 低压MOS功率管

    SVG105R0NL5   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG105R4NT(S) 低压MOS功率管

    SVG105R4NT(S)   N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVG15670NSA 低压MOS功率管

    SVG15670NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVT03380PSA 低压MOS功率管

    SVT03380PSA   P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
  • Silan 士兰微 SVT035R5NSA 低压MOS功率管

    SVT035R5NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

查看更多

登录新利18国际娱乐查看更多信息