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Zenitron 增你强
台湾 增你强股份有限公司 由周友义先生创办于 1982 年10 月,为台湾半导体零组件通路商的早期先驱之一。营运据点以大中华地区为主。 销售与服务产业横跨电源管理、网络通讯、消费性电子、工业控制、汽车工业、AIoT智能物联网、家用电子、零售渠道等多元领域。 随着末端消费环境演进, 电子产品的开发种类日趋多样化复杂化与创意化, 周友义先生预见未来趋势的发展,超越传统元件通路商“买”与“卖”的角色定位,致力以“技术领先的加值通路商”的目标努力。除了元件产品的销售外,增你强为客户提供整体解决方案 ( Turnkey Solution ) 与参考设计服务,协助客户整合资源,降低研发时间与成本,让产品能快速在市场推出。目前,增你强在电源管理、网通、PC及其周边等均有丰富的经验与成功案例。为扩大市场版图,增你强在 2005 年 12 月 31 日将正达国际并入增你强集团,取得以 SanDisk 与 Cypress 为主的代理线,强化在资讯、通讯与消费性电子市场的竞争力,并透过此合并跨足零售通路。结合双方在上游端元件与消费端记忆体等多元化产品线,将有助于市场扩增,并提供更多解决方案。增你强于 2002 年 8 月在台湾证券交易所挂牌上市 ( 台股代号: 3028) ,大中华地区营运据点近20个。认识增你强创立时间:1982年10月6日董事长:周友义共同执行长兼总经理:周俊光共同执行长兼总经理:周俊贤资本额:新台币 21.8 亿营业额:新台币 399.97 亿 ( 2022 年合并营收 )产品与服务:技术导向加值型半导体零组件通路商营运据点:台北(总公司)、新竹、台中、高雄、香港、深圳、厦门、成都、上海、宁波、苏州、南京、北京、青岛、合肥、鄭州、重庆、武汉台股代号:3028天下杂志排名第29名天下杂志服务业 排名第46名EE Times出版集团ASPENCORE奖项殊荣
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Zenitron 增你强
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产品列表
Silan 士兰微 SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SD1S/F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管
SGT21T60SD1FD 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机控制,以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT25U120FD1NP7 绝缘栅双极型晶体管
SGT25U120FD1NP7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT30T60SD1S 绝缘栅双极型晶体管
SGT30T60SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电动工具以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT30T60SD3P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT30T60SD3P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT40T120SDB4P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT40T120SDB4P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop IV)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于变频器,UPS,SMPS等领域。
Silan 士兰微 SGT40U120FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT40U120FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版槽栅场截止(Field Stop 4+)工艺制作,具有低导通损耗和较低开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于工业焊接,UPS,SMPS,光伏等领域。
Silan 士兰微 SGTP75V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT10T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管
SGT10T60SDM 2T 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T120QR1PT 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T120QR1PT绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T60QD1F(FD) 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T60QD1F/FD绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StopIII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP30U60FD1PU 绝缘栅双极型晶体管
SGTP30U60FD1PU绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP40V65FDR1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP40V65SDB1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGTP75V65FDB1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15T60SDM2T 绝缘栅双极型晶体管
SGT15T60SDM2T绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT15U65SD1F 绝缘栅双极型晶体管
SGT15U65SD1F绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus(Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机控制,以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管
SGT160U65S1PWA 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代升级版场截止(Field Stop IV+)工艺制作,专门为转换器应用设计,具有低饱和压降,低开关损耗的优点,可应用于Motor Drives、DC/AC converter等领域。
Silan 士兰微 SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管
SGT50T120FD3PL 绝缘栅双极型晶体管采用第四代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低的导通损耗和关断损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于电焊机,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT51V65FD1P7 绝缘栅双极型晶体管
SGT51V65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
Silan 士兰微 SGT75T65SDM1P4 绝缘栅双极型晶体管
SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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