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深圳九方航
深圳市九方航科技有限公司注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋4B07，注册机关为深圳市市场监督管理局，法人代表为吴涵，经营范围包括一般经营项目是：电子产品销售；仪器仪表销售；电子元器件批发；人工智能硬件销售；电子元器件零售；光伏设备及元器件销售；电工仪器仪表销售；电子元器件与机电组件设备销售；计算器设备销售；五金产品批发；计算机软硬件及辅助设备批发；计算机软硬件及辅助设备零售；通讯设备销售；网络设备销售；光通信设备销售；集成电路销售；软件开发；云计算设备销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动），许可经营项目是：无,
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  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    2CF040032JL是采用士兰微电子平面BIPOLAR工艺技术制造的用于塑封的双向触发二极管芯片；利用该芯片封装的典型成品有DB3(双向触发二极管)；正面电极材料为铝，背面电极材料为金；该产品主要应用在全波相控电路、节能灯电子镇流器等。

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    2CF043032JL是采用士兰微电子平面BIPOLAR工艺技术制造的用于塑封的双向触发二极管芯片；利用该芯片封装的典型成品有DB3（双向触发二极管）;正面电极材料为铝，背面电极材料为金；该产品主要应用在全波相控电路、节能灯电子镇流器等。

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    2CW032051JL-L是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于塑封。

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    2CW032XXXJL-LS系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于塑封。稳压值精度约为±5%

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    2CW032XXXJL-VX系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于塑封。该系列为上下限非对称型稳压值产品。亦即某档次的稳压值上下限与中心标称值是不对称设置的，这样的设置能更好地适应整机用户的使用习惯。

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    2CW032XXXYQ-PX系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于玻封。该系列为上下限非对称型稳压值产品。亦即某档次的稳压值上下限与中心标称值是不对称设置的，这样设置能更好地适应整机用户的使用习惯。为了方便整机用户在比较窄的稳压值范围内选择参数，该系列将每一档的稳压值再进行了细分，分别称为PA、PB、PC、PD档等。正面电极材料为银球，背面电极材料为银。芯片尺寸：0.32X 0.32 (mm)2(含划片道)。

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    2CW033XXXJL系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于塑封。可提供两种精度的各档稳压值产品。

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    2CW035XXXJL-R系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于塑封。该系列为上下限非对称型稳压值产品。亦即某档次的稳压值上下限与中心标称值是不对称设置的，如3.0V规格的产品，上限值为3.25V，下限值为2.95V，这样的规格设置能更好地适应整机用户的使用习惯。芯片厚度为180微米和150微米，正面电极材料为铝，背面电极材料为金。

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    2CW035XXXYQ-PX系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于玻封。该系列为上下限非对称型稳压值产品。亦即某档次的稳压值上下限与中心标称值是不对称设置的，如3.0V规格的产品，上限值为3.25V，下限值为2.95V，这样的规格设置能更好地适应整机用户的使用习惯。为了方便整机用户在比较窄的稳压值范围内选择参数，该系列将每一档的稳压值再进行了细分，分别称为PA、PB、PC、PD档等。芯片厚度为140微米，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。芯片尺寸：0.35 X 0.35 (mm)2。

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    2CW040XXXYQ系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于玻封。正面电极材料为银球，背面电极材料为银。芯片尺寸：0.40X 0.40 (mm)2(含划片道)。

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    2CW087XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于塑封。稳压值精度约为±5%。

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    2CW087XXXYY系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于塑封。稳压值精度约为±4%。

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    2ES036067R1PJL  是利用先进的硅电路工艺生产的单通道低电容静电放电保护器件，适合于SOD和FBP 等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±12kV（接触放电）。

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    2ES039080R2PGL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于DFN1006、SOT-23等封装外形；输入端对地不大于0.9pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1uA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；输入端对地IEC61000-4-2(ESD)：±15kV（空气放电）±8kV（接触放电）

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    2ES039XXXR2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于DFN1006、SOT-23等多种封装外形；输入端对地不大于0.9pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流 (< 1μA) ；适合于高速数据传输线的ESD保护；输入端对地IEC61000-4-2(ESD):±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

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    2ES043067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

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    2ES059067R4P是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.8pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±10kV（接触放电）。

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    2ES063067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；输入端对地不大于1.5pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流 (< 1μA) ；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD):±20kV（空气放电）；±15kV（接触放电）。

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    2ES083067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；输入端对地不大于2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

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    2ES092067R7PJL是利用先进的硅电路工艺生产的七通道低电容静电放电保护器件，适合于MSOP和DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.4pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

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    2ES098180R4PYL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±12kV（接触放电）。

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    2ES125033R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、SO等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

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    2ES156067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8、SOT-23-6等封装外形；输入端对地大于30A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。

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    2ES168067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±12kV（接触放电）。

  • 光微科技 NV08 CMOS图像传感器

    2ES196067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道大电流静电放电保护器件，适合于SOP-8封装外形；输入端对地大于100A的峰值电流；低钳位电压；快速的响应速度；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±30kV（空气放电）；±30kV（接触放电）。
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