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深圳英特法
深圳市英特法电子科技有限公司注册地址位于深圳市福田区华强北街道振兴西路华康大厦2栋3楼315室，注册机关为福田局，法人代表为欧阳先军，经营范围包括一般经营项目是：电子产品、电子元器件的技术开发与销售，国内贸易；经营进出口业务。（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营），许可经营项目是：,
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  • Silan 士兰微 SVS5N105FD2 超结MOS功率管

    SVS5N105FD2   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS5N105FD2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R125FE3 超结MOS功率管

    SVS60R125FE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R125FE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R280FJDE3 超结MOS功率管

    SVS60R280FJDE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R280FJDE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R300DHE3 超结MOS功率管

    SVS60R300DHE3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R300DHE3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R570F(FJD)(D)E3 超结MOS功率管

    SVS60R570F(FJD)(D)E3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R570F(FJD)(D)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS65R300FE3 超结MOS功率管

    SVS65R300FE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS65R300FE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS70R420D(S)E3 超结MOS功率管

    SVS70R420D(S)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS70R420D(S)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVSP35NF65P7D3 超结MOS功率管

    SVSP35NF65P7D3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP35NF65P7D3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVSP60R190L8AE3 超结MOS功率管

    SVSP60R190L8AE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R190L8AE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R160FJDE3 超结MOS功率管

    SVS60R160FJDE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R160FJDE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 超结MOS功率管

    SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 超结MOS功率管

    SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS80R800FJH(D)E3 超结MOS功率管

    SVS80R800FJH(D)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS80R800FJH(D)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS11N65FJHE2 超结MOS功率管

    SVS11N65FJHE2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11N65FJHE2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS11NF60DD2 超结MOS功率管

    SVS11NF60DD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11NF60DD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 超结MOS功率管

    SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

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